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InSb(211)A,B表面电子结构特性

马丙现 贾瑜 胡行 顾华伟 李新建

InSb(211)A,B表面电子结构特性

马丙现, 贾瑜, 胡行, 顾华伟, 李新建
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出版历程
  • 收稿日期:  1999-02-28
  • 修回日期:  1999-04-23
  • 刊出日期:  2000-02-20

InSb(211)A,B表面电子结构特性

  • 1. (1)河南大学物理系,河南大学科研处,开封475001; (2)郑州大学物理工程学院,郑州450052
    基金项目: 

    河南省自然科学基金!(批准号 :9840 40 5 0 0 )资助的课题

摘要: 采用散射理论的格林函数方法计算了InSb(211)A,B两类表面的电子结构,分别给出了两类表面的表面投影能带结构,分析了各表面态的轨道特性和色散特性;并在此基础上讨论了两类表面的稳定性;计算结果和实验结果定性的相符合.

English Abstract

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