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稳态、瞬态X射线辐照引起的互补性金属-氧化物-半导体器件剂量增强效应研究

张义门 郭红霞 陈雨生 周辉 龚建成 韩福斌 关颖 吴国荣

稳态、瞬态X射线辐照引起的互补性金属-氧化物-半导体器件剂量增强效应研究

张义门, 郭红霞, 陈雨生, 周辉, 龚建成, 韩福斌, 关颖, 吴国荣
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-05-26
  • 修回日期:  2001-07-01
  • 刊出日期:  2001-12-20

稳态、瞬态X射线辐照引起的互补性金属-氧化物-半导体器件剂量增强效应研究

  • 1. (1)西安电子科技大学微电子学研究所,西安710000; (2)西安电子科技大学微电子学研究所,西安710000,西北核技术研究所,西安710024; (3)西北核技术研究所,西安710024

摘要: 重点开展了稳态、瞬态X射线辐照引起的金属氧化物半导体(CMOS)器件剂量增强效应relative dose enhancement effect(RDEF)研究.通过实验给出辐照敏感参数随总剂量的变化关系,旨在建立CMOS器件相同累积剂量时Χ射线辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系.在脉冲X射线源dense plasma focus(DPF)装置上,采用双层膜结构开展瞬态翻转增强效应研究,获得了瞬态翻转剂量增强因子.这些方法为器件抗X射线辐照加固技术研究提供了实验技术手段.

English Abstract

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