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纳米Si/C/N复相粉体的微波介电特性

周万城 万伟 赵东林

纳米Si/C/N复相粉体的微波介电特性

周万城, 万伟, 赵东林
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-07-16
  • 修回日期:  2001-06-28
  • 刊出日期:  2001-12-20

纳米Si/C/N复相粉体的微波介电特性

  • 1. (1)西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安710072; (2)西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安710072,北京化工大学碳纤维及复合材料研究所,北京100029

摘要: 研究了纳米Si/C/N复相粉体在8.2—18GHz的微波介电特性,采用双反应室激光气相合成纳米粉体装置,以六甲基二硅胺烷((Me3Si)2NH)(Me∶CH3)为原料,用激光诱导气相反应法合成纳米Si/C/N复相粉体,复相粉体的粒径为20—30nm.纳米Si/C/N复相粉体与石蜡复合体的介电常量的实部(ε′)和虚部(ε″)以及介电损耗角正切(tan δ=ε″/ε′)随纳米粉体含量的增加而增大,ε′和ε″与纳米粉体体积分数(v)之间符合二次函

English Abstract

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