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基于VO2薄膜非致冷红外探测器光电响应研究

陈长虹 易新建 熊笔锋

基于VO2薄膜非致冷红外探测器光电响应研究

陈长虹, 易新建, 熊笔锋
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-06-12
  • 修回日期:  2000-07-25
  • 刊出日期:  2001-03-20

基于VO2薄膜非致冷红外探测器光电响应研究

  • 1. 华中科技大学光电工程系,武汉430074

摘要: VO2薄膜是非致冷微测辐射热红外探测器热敏电阻材料.研究中应用微电子工艺制备了VO2溅射薄膜红外探测器,在296K的环境中测试了该探测器在不同的直流偏置、光调制频率下对873K标准黑体源8—12μm红外辐射的光电响应以及器件的噪声电压,在10和30Hz的调制频率下其响应率分别大于17kV/W和接近10kV/W.该探测器实现了探测率D大于1.0×108cm (Hz)1/2/W,热时间常量为0.011s的8—12μm非致冷

English Abstract

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