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在Si(111)-(7×7)表面自组织生长二维Ge团簇超晶格

闫隆 张永平 彭毅萍 庞世谨 高鸿钧

在Si(111)-(7×7)表面自组织生长二维Ge团簇超晶格

闫隆, 张永平, 彭毅萍, 庞世谨, 高鸿钧
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-10-08
  • 刊出日期:  2005-05-30

在Si(111)-(7×7)表面自组织生长二维Ge团簇超晶格

  • 1. 中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心北京真空物理开放实验室,北京100080
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号 :6 9770 0 1)资助的课题~~

摘要: 利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下亚单层Ge在Si(111)(7×7)表面上的自组织生长.通过控制Ge的沉积量,在Si(111)(7×7)表面上自组织生长成一种具有六重对称性的二维Ge团簇超晶格.构成超晶格的Ge团簇均位于(7×7)亚单胞的位置上,而且它们的形状和大小基本保持一致.文中对这种自组织结构的形成机理进行了讨论

English Abstract

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