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玻璃中CdSeS纳米晶体的生长及其性能

王引书 孙萍 丁硕 罗旭辉 李娜 王若桢

玻璃中CdSeS纳米晶体的生长及其性能

王引书, 孙萍, 丁硕, 罗旭辉, 李娜, 王若桢
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出版历程
  • 刊出日期:  2002-12-20

玻璃中CdSeS纳米晶体的生长及其性能

  • 1. 北京师范大学物理系,北京100875
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号 :2 9890 2 17)

    北京师范大学青年基金 (批准号 :10 110 197)资助的课题

摘要: 对掺有镉、硒、硫的玻璃在500—800℃退火2—24h,生长了不同尺寸的CdSxSe1x纳米晶体.用分光光度计和光致发光光谱(PL)分析了纳米晶体的性能.退火温度低于550℃,纳米晶体处于成核阶段,600—625℃处于正常扩散生长阶段,700—800℃处于竞争生长阶段;而650℃处于两种生长阶段之间.虽然650℃下生长的纳米晶体的尺寸分布比较窄,但纳米晶体的尺寸随退火时间的延长几乎不变,在该温度改变退火时间很难改变纳米晶体的平均尺寸.在所有样品中出现了深能级缺陷,在650℃退火时间小于4h或大于16h有利

English Abstract

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