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p型GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱中二维空穴气的研究

游 达 许金通 汤英文 何 政 徐运华 龚海梅

p型GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱中二维空穴气的研究

游 达, 许金通, 汤英文, 何 政, 徐运华, 龚海梅
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-03-02
  • 修回日期:  2006-08-28
  • 刊出日期:  2006-12-20

p型GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱中二维空穴气的研究

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海 200083

摘要: 对Ga面p型GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变异质结构中形成的二维空穴气(2DHG)进行了研究.首先基于半导体-绝缘体-半导体异质结构模型确定了应变异质中的临界厚度,然后自洽求解薛定谔方程和泊松方程,计算了当中间势垒层AlGaN处于完全应变状态和半应变状态两种条件下,顶层GaN及中间层AlGaN厚度的变化对2DHG分布的影响.计算结果表明,势垒层AlGaN和顶层GaN的应变状态和厚度对极化引起的2DHG面密度及分布有重要影响.在此基础上制备了p型GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱结构肖特基器件,并通过器件的C-V测试证实了异质结处2DHG的存在.器件响应光谱的测试结果表明,由于p型GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN量子阱中强烈的极化作用和Stark效应使得器件零偏压和反向偏压时的响应光谱都向短波方向移动了10 nm,在零偏压下器件在280 nm处的峰值响应为0.022 A/W,在反向偏压为1 V时,峰值响应达到0.19 A/W,已经接近理论值.

English Abstract

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