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Mg,Cu 掺杂CdS电子结构的第一性原理研究

党随虎 李春霞 韩培德

Mg,Cu 掺杂CdS电子结构的第一性原理研究

党随虎, 李春霞, 韩培德
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-10-14
  • 修回日期:  2008-12-09
  • 刊出日期:  2009-06-20

Mg,Cu 掺杂CdS电子结构的第一性原理研究

  • 1. (1)长江师范学院物理学与电子工程学院,重庆 408003; (2)太原理工大学材料科学与工程学院,太原 030024
    基金项目: 

    重庆市教委科学技术研究基金(批准号:KJ081307)和长江师范学院重点学科基金(批准号:2003148)资助的课题.

摘要: 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理的平面波超软赝势方法,对闪锌矿结构CdS晶体及CdS:M(M=Mg, Cu)的几何结构、能带结构、电子态密度、集聚数和电荷密度分布进行了研究.对掺杂后体系的几何结构进行了优化计算,发现Mg和Cu原子掺入CdS后晶格常量均减少,晶格发生畸变.在此基础上研究了掺杂对体系电子结构的影响.结果表明,Mg,Cu掺入CdS都能提供较多空穴态,形成p型电导,并且Cu较Mg是更好的p型掺杂剂.

English Abstract

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