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氧化镁纳米管团簇电子结构的密度泛函研究

徐灿 张小芳 陈亮

氧化镁纳米管团簇电子结构的密度泛函研究

徐灿, 张小芳, 陈亮
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-04-18
  • 修回日期:  2008-06-10
  • 刊出日期:  2009-03-20

氧化镁纳米管团簇电子结构的密度泛函研究

  • 1. (1)兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室,兰州 730000; (2)兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室,兰州 730000;浙江林学院理学院,临安 311300
    基金项目: 

    磁学与磁性材料教育部重点实验室开放项目(批准号:LZ015)资助的课题.

摘要: 用密度泛函理论(DFT)的杂化密度泛函B3LYP方法在6-31G(d)基组水平上对MgO纳米管团簇的二元环双管、三元环、三元环双管三种构型共21个团簇进行优化,对各构型的平均结合能、能隙、平均原子电荷以及总电荷密度进行了理论研究. 结果表明,平均结合能和配位数呈线性关系;随着纳米管的生长,团簇的稳定性增加,其中以三元环纳米管最为稳定;生长过程中发生原子间的电荷转移现象,预测出至无限长时的平均原子电荷分别为1298,1270,1306;混合离子共价键始终存在于MgO纳米管团簇之中.

English Abstract

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