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接触电阻对碳纳米管场发射的影响

吕文辉 张帅

接触电阻对碳纳米管场发射的影响

吕文辉, 张帅
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  • 基于改进的悬浮球模型,计算了碳纳米管和衬底间的接触电阻存在时碳纳米管顶端的局域电场, 并结合Fowler-Nordheim (F-N)场发射规律研究了接触电阻对碳纳米管场发射的影响.研究表明,接触电阻的存在,在高电场区域接触电阻抑制了碳纳米管的电子场发射,导致在高电场区域出现电流饱和及FN直线偏折现象.其原因可归结为接触电阻使得在碳纳米管顶端的局域电场相对于没有接触电阻时相对地减少.
    • 基金项目: 广东高校优秀青年创新人才培育项目(批准号:LYM08075)和浙江大学硅材料国家重点实验室开放课题(批准号:SKL2010-5)资助的课题.
    [1]

    Bethune D, Kiang C-H, de Vries M, Gorman G, Savoy R, Vazquez J, Beyers R 1993 Nature 363 605

    [2]

    de Heer W A, Chatelain A, Ugarte D 1995 Science 270 1179

    [3]

    Zhong D Y, Zhang G Y, Liu S, Sakurai T, Wang E G 2002 Appl. Phys. Lett. 80 506

    [4]

    Choi W B, Chung D S, Kang J H 1999 Appl. Phys. Lett. 75 312

    [5]

    Zhang J, Yang G, Cheng Y, Gao B, Qiu Q, Cheng Y, Gao B, Qiu Q, Lu J P , Zhou O 2003 Appl. Phys. Lett. 86 184104

    [6]

    Park J H, Son G H, Moon J S, Han J H, Berdinsky A S, Kuvshinov D G, Yoo J B, Park C Y, Nam J W, Park J, Lee C G, Choe D H 2005 J. Vac. Sci. Technol. B 23 749

    [7]

    Fowler R H, Nordheim D L 1928 Proc. Roy. Soc. London, Ser. A 119 173

    [8]

    Zhang J H, Wang X, Yang W W, Yu W D, Feng T, Li Q, Liu X H 2006 Carbon 44 418

    [9]

    Chen L F, Song H, Zhao H F, Liu X, Guo W G, Li D B, Jiang H, Cao L Z, Li Z M 2009 J. Appl. Phys. 106 033703

    [10]

    Yamashita T, Hasegawa S, Nishida S, Ishimaru M, Hirotsu Y, Asahi H 2005 Appl. Phys. Lett. 44 082109

    [11]

    Wang X Q,Wang M, He P M, Xu Y B, Li Z H 2004 J. Appl. Phys. 96 6752

    [12]

    Wang X Q, Wang M, Li Z H, Yang B, Wang F F, He P M, Xu Y B 2005 Acta Phys. Sin. 54 1347 (in Chinese) [王新庆,王淼,李振华,杨兵,王凤飞,何丕模,徐亚伯 2005 物理学报 54 1347]

    [13]

    Wang M, Shang X F, Li Z H, Wang X Q, Xu Y B 2006 Acta Phys. Sin. 55 797 (in Chinese) [王淼,尚学府,李振华,王新 庆,徐亚伯 2005 物理学报 54 797]

    [14]

    She J C , Xu N S, Deng S Z, Chen J, Bishop H, Huq S E, Wang L, Zhong D Y, Wang E G 2003 Appl. Phys. Lett. 83 2671

    [15]

    Xu X P, Brandes G R 1999 Appl. Phys. Lett. 74 2549

    [16]

    Dean K A, Chalamala B R 2000 Appl. Phys. Lett. 76 375

  • [1]

    Bethune D, Kiang C-H, de Vries M, Gorman G, Savoy R, Vazquez J, Beyers R 1993 Nature 363 605

    [2]

    de Heer W A, Chatelain A, Ugarte D 1995 Science 270 1179

    [3]

    Zhong D Y, Zhang G Y, Liu S, Sakurai T, Wang E G 2002 Appl. Phys. Lett. 80 506

    [4]

    Choi W B, Chung D S, Kang J H 1999 Appl. Phys. Lett. 75 312

    [5]

    Zhang J, Yang G, Cheng Y, Gao B, Qiu Q, Cheng Y, Gao B, Qiu Q, Lu J P , Zhou O 2003 Appl. Phys. Lett. 86 184104

    [6]

    Park J H, Son G H, Moon J S, Han J H, Berdinsky A S, Kuvshinov D G, Yoo J B, Park C Y, Nam J W, Park J, Lee C G, Choe D H 2005 J. Vac. Sci. Technol. B 23 749

    [7]

    Fowler R H, Nordheim D L 1928 Proc. Roy. Soc. London, Ser. A 119 173

    [8]

    Zhang J H, Wang X, Yang W W, Yu W D, Feng T, Li Q, Liu X H 2006 Carbon 44 418

    [9]

    Chen L F, Song H, Zhao H F, Liu X, Guo W G, Li D B, Jiang H, Cao L Z, Li Z M 2009 J. Appl. Phys. 106 033703

    [10]

    Yamashita T, Hasegawa S, Nishida S, Ishimaru M, Hirotsu Y, Asahi H 2005 Appl. Phys. Lett. 44 082109

    [11]

    Wang X Q,Wang M, He P M, Xu Y B, Li Z H 2004 J. Appl. Phys. 96 6752

    [12]

    Wang X Q, Wang M, Li Z H, Yang B, Wang F F, He P M, Xu Y B 2005 Acta Phys. Sin. 54 1347 (in Chinese) [王新庆,王淼,李振华,杨兵,王凤飞,何丕模,徐亚伯 2005 物理学报 54 1347]

    [13]

    Wang M, Shang X F, Li Z H, Wang X Q, Xu Y B 2006 Acta Phys. Sin. 55 797 (in Chinese) [王淼,尚学府,李振华,王新 庆,徐亚伯 2005 物理学报 54 797]

    [14]

    She J C , Xu N S, Deng S Z, Chen J, Bishop H, Huq S E, Wang L, Zhong D Y, Wang E G 2003 Appl. Phys. Lett. 83 2671

    [15]

    Xu X P, Brandes G R 1999 Appl. Phys. Lett. 74 2549

    [16]

    Dean K A, Chalamala B R 2000 Appl. Phys. Lett. 76 375

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出版历程
  • 收稿日期:  2011-08-08
  • 修回日期:  2011-09-26
  • 刊出日期:  2012-01-05

接触电阻对碳纳米管场发射的影响

  • 1. 湛江师范学院物理系, 湛江 524048;
  • 2. 湛江师范学院科技处, 湛江 524048
    基金项目: 

    广东高校优秀青年创新人才培育项目(批准号:LYM08075)和浙江大学硅材料国家重点实验室开放课题(批准号:SKL2010-5)资助的课题.

摘要: 基于改进的悬浮球模型,计算了碳纳米管和衬底间的接触电阻存在时碳纳米管顶端的局域电场, 并结合Fowler-Nordheim (F-N)场发射规律研究了接触电阻对碳纳米管场发射的影响.研究表明,接触电阻的存在,在高电场区域接触电阻抑制了碳纳米管的电子场发射,导致在高电场区域出现电流饱和及FN直线偏折现象.其原因可归结为接触电阻使得在碳纳米管顶端的局域电场相对于没有接触电阻时相对地减少.

English Abstract

参考文献 (16)

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