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AlxGa1-xN晶体薄膜中铝含量的卢瑟福背散射精确测定

刘运传 周燕萍 王雪蓉 孟祥艳 段剑 郑会保

AlxGa1-xN晶体薄膜中铝含量的卢瑟福背散射精确测定

刘运传, 周燕萍, 王雪蓉, 孟祥艳, 段剑, 郑会保
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  • 采用金属有机化合物气相淀积法在(0001)取向的蓝宝石衬底上生长一层 大约20 nm厚的AlN缓冲层, 在缓冲层上生长大约2 μm厚、 晶体质量良好的AlxGa1-xN外延层, 通过深紫外光致发光法测量发光峰的能量Eg 判断外延层中铝含量的均匀性, 取样品均匀性良好的氮铝镓外延片进行卢瑟福背散射(RBS)实验, 通过两个高能离子束实验室分别进行RBS随机谱分析, 每个实验室测量六个样品, 由分析软件拟合随机谱获得外延层中的xAl. 并对样品的均匀性、堆积校准、计数统计、散射角、离子束能量与阻止截面 等影响测量结果准确性的不确定度来源进行分析. 结果表明, 采用入射离子4He, 能量为2000 keV, 散射角为165° 时, 氮铝镓外延片中铝含量(x=0.8) 的测量不确定度为2.0%, 包含扩展因子k=2.
    • 基金项目: 国防基础科研计划(批准号: J092009A001)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-01-10
  • 修回日期:  2013-04-16
  • 刊出日期:  2013-08-05

AlxGa1-xN晶体薄膜中铝含量的卢瑟福背散射精确测定

  • 1. 中国兵器工业集团第五三研究所, 济南 250031
    基金项目: 

    国防基础科研计划(批准号: J092009A001)资助的课题.

摘要: 采用金属有机化合物气相淀积法在(0001)取向的蓝宝石衬底上生长一层 大约20 nm厚的AlN缓冲层, 在缓冲层上生长大约2 μm厚、 晶体质量良好的AlxGa1-xN外延层, 通过深紫外光致发光法测量发光峰的能量Eg 判断外延层中铝含量的均匀性, 取样品均匀性良好的氮铝镓外延片进行卢瑟福背散射(RBS)实验, 通过两个高能离子束实验室分别进行RBS随机谱分析, 每个实验室测量六个样品, 由分析软件拟合随机谱获得外延层中的xAl. 并对样品的均匀性、堆积校准、计数统计、散射角、离子束能量与阻止截面 等影响测量结果准确性的不确定度来源进行分析. 结果表明, 采用入射离子4He, 能量为2000 keV, 散射角为165° 时, 氮铝镓外延片中铝含量(x=0.8) 的测量不确定度为2.0%, 包含扩展因子k=2.

English Abstract

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