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积分中值定理在放射性氙样品γ谱效率刻度技术中的应用

田自宁 欧阳晓平 曾鸣 成智威

积分中值定理在放射性氙样品γ谱效率刻度技术中的应用

田自宁, 欧阳晓平, 曾鸣, 成智威
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  • 在实验室HPGe探测器测量分析氙气样品过程中需要用到相对方法进行分析, 然而由于放射性氙同位素半衰期较短, 制作相应的标准气体比较难, 给谱仪系统刻度带来困难.针对该问题, 提出使用混合面源模拟刻度四种氙同位素气体源的效率, 并提出将积分中值定理应用到面源刻度实验过程, 大大简化了中间流程, 提高了测量的准确性.利用氙分离纯化系统在高氡环境下采集样品, 获得了天然放射性133Xe气体γ谱, 通过计算得到其活度浓度. 积分中值位置处的混合面源刻度结果和气体源刻度结果一致, 说明本文提出的面源刻度技术及积分中值定理的思想在HPGe 探测器效率刻度测量分析中是有效可行的.
    [1]

    Fontaine J P, Pointurier F, Blanchard X, Taffary T 2004 J. Environ. Radioact 72 129

    [2]

    Stocki T J, Bean M, Ungar R K, Toivonen H, Zhang W, Whyte J, Meyerhof D 2004 Appl. Radiat. Isot. 61 231

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    Schulze J, Auer M, Werzi R 2000 Appl. Radiat. Isot. 53 23

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    Zhang W, Mekarski P, Ungar K 2010 Appl. Radiat. Isot. 68 2377

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    Petit G L, Jutier C, Gross P, Greiner V 2006 Appl. Radiat. Isot. 64 1307

    [6]

    Stocki T J, Blanchard X, D’Amours R, Ungar R K, Fontaine J P, Sohier M, Bean M, Taffary T, Racine J, Tracy B L, Brachet G, Jean M, Meyerhof D 2005 J. Environ. Radioact 80 305

    [7]

    Xiang Y C, Gong J, Li W, Bian Z S, Hao F H, Wang H X, Wang Q, Xiong Z H 2008 Acta Phys. Sin. 57 784 (in Chinese) [向永春, 龚建, 李伟, 卞直上, 郝樊华, 王红侠, 王茜, 熊宗华 2008物理学报 57 784]

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    Zhang N T, Lei X G, Zhang Y H, Zhou X H, Liu M L, Guo Y X, Fang Y D, Li S C, Zhou H B, Ding B, Wang H X, Wu X G, He C Y, Zheng Y 2012 Chin. Phys. Lett. 29 042901

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    Hao F H, Hu G C, Liu S P, Gong J, Xiang Y C, Huang R L, Shi X M, Wu J 2005 Acta Phys. Sin. 54 3523 (in Chinese) [郝樊华, 胡广春, 刘素萍, 龚建, 向永春, 黄瑞良, 师学明, 伍钧 2005 物理学报 54 3523]

    [10]

    Qian N, Wang D Z, Bai Y F, Liu C, Zhang Y, Yang Y L 2010 Nucl. Tech. 33 25 (in Chinese) [钱 楠, 王德忠, 白云飞, 刘 诚, 张 勇, 杨永亮 2010核技术 33 25]

    [11]

    Zhang H Q, Ni B F, Tian W Z, Wang P S, Huang D H, Zhang G Y, Liu C X, Xiao C J, Sun H C, Zhao C J 2010 Nucl. Tech. 33 839 (in Chinese) [张海青, 倪邦发, 田伟之, 王平生, 黄东辉, 张贵英, 刘存兄, 肖才锦, 孙洪超, 赵常军 2010 核技术 33 839]

    [12]

    Tian Z N, Ouyang X P, Huang X L, Zhou C Y, Zhang Y, Shen M Q, Yang X Y 2011 Nucl. Tech. 34 832 (in Chinese) [田自宁, 欧阳晓平, 黄雄亮, 周崇阳, 张 洋, 申茂泉, 杨晓燕 2011 核技术 34 832]

    [13]

    Nie P, Ni B F, Tian W Z 2010 Nucl. Tech. 33 79 (in Chinese) [聂鹏, 倪邦发, 田伟之 2010 核技术 33 79]

  • [1]

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    Tian Z N, Ouyang X P, Huang X L, Zhou C Y, Zhang Y, Shen M Q, Yang X Y 2011 Nucl. Tech. 34 832 (in Chinese) [田自宁, 欧阳晓平, 黄雄亮, 周崇阳, 张 洋, 申茂泉, 杨晓燕 2011 核技术 34 832]

    [13]

    Nie P, Ni B F, Tian W Z 2010 Nucl. Tech. 33 79 (in Chinese) [聂鹏, 倪邦发, 田伟之 2010 核技术 33 79]

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出版历程
  • 收稿日期:  2012-12-19
  • 修回日期:  2013-03-30
  • 刊出日期:  2013-08-05

积分中值定理在放射性氙样品γ谱效率刻度技术中的应用

  • 1. 清华大学工程物理系, 粒子技术与辐射成像教育部重点实验室, 北京 100084;
  • 2. 西北核技术研究所,辐射探测研究中心, 西安 710024

摘要: 在实验室HPGe探测器测量分析氙气样品过程中需要用到相对方法进行分析, 然而由于放射性氙同位素半衰期较短, 制作相应的标准气体比较难, 给谱仪系统刻度带来困难.针对该问题, 提出使用混合面源模拟刻度四种氙同位素气体源的效率, 并提出将积分中值定理应用到面源刻度实验过程, 大大简化了中间流程, 提高了测量的准确性.利用氙分离纯化系统在高氡环境下采集样品, 获得了天然放射性133Xe气体γ谱, 通过计算得到其活度浓度. 积分中值位置处的混合面源刻度结果和气体源刻度结果一致, 说明本文提出的面源刻度技术及积分中值定理的思想在HPGe 探测器效率刻度测量分析中是有效可行的.

English Abstract

参考文献 (13)

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