搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

甚高频激发容性耦合氩等离子体的电子能量分布函数的演变

王俊 王涛 唐成双 辛煜

甚高频激发容性耦合氩等离子体的电子能量分布函数的演变

王俊, 王涛, 唐成双, 辛煜
PDF
导出引用
  • 甚高频激发的容性耦合等离子体由于离子通量和能量的相对独立可控而受到人们的关注. 本文采用朗缪尔探针诊断技术测量了40.68 MHz激发的容性耦合Ar等离子体的特性(如电子能量概率分布、电子温度和密度等)随宏观参量的演变情况. 实验结果表明, 电子能量概率分布随着气压的增加从双麦克斯韦分布逐步转变为单麦克斯韦分布并最终演变为Druyvesteyn分布, 而射频激发功率的增加促进了低能电子布居数的增强; 在从等离子体放电中心移向边界的过程中, 低能电子的布居数显著下降, 而高能电子的布居则有所上升; 放电极板间距的变化直接导致了等离子体中电子加热模式的转变. 另外, 我们也对等离子体中的高低能电子密度和温度的分配情况进行了讨论.
      通信作者: 辛煜, yuxin@suda.edu.cn
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 11175127)资助的课题.
    [1]

    Xu D S, Zou S, Xin Y, Su X D, Wang X S 2014 Chin. Phys. B 23 065201

    [2]

    Conrads H, Schmidt M 2000 Plasma sources Sci. Technol. 9 441

    [3]

    Yu Y Q, Xin Y, Ning Z Y 2011 Chin. Phys. B 20 015207

    [4]

    Kim H C, Lee J K 2004 Phys. Rev. Lett. 93 085003

    [5]

    Jiang W, Wang H Y, Zhao S X, Wang Y N 2009 J. Phys. D 42 102005

    [6]

    Fernández Palop J I, Ballesteros J, Colomer V, Hernández M A 1995 Rev. Sci. Instrum. 66 4625

    [7]

    Bang J Y, Chung C W 2010 Phys. Plasmas 17 123506

    [8]

    Chung T H 2006 Phys. Plasmas 13 024501

    [9]

    Wang X, Hershkowitz N 2006 Phys. Plasmas 13 053503

    [10]

    Godyak V A, Popov O A 1985 J. Appl. Phys. 57 53

    [11]

    Godyak V A, Piejak R B 1990 Phys. Rev. Lett. 65 996

    [12]

    Turner M M, Chabert P 2006 Phys. Rev. Lett. 96 205001

    [13]

    You S J, Ahn S K, Chang H Y 2006 Appl. Phys. Lett. 89 171502

    [14]

    Turner M M, Hopkins M B 1992 Phys. Rev. Lett. 69 3511

    [15]

    Turner M M 1995 Phys. Rev. Lett. 75 1312

    [16]

    Kaganovich I D 2002 Phys. Rev. Lett. 89 265006

    [17]

    You S J, Chung C W, Chang H Y 2005 Appl. Phys. Lett. 87 041501

    [18]

    Park G Y, You S J, Iza F, Lee J K 2007 Phys. Rev. Lett. 98 085003

    [19]

    Liu Y X, Zhang Q Z, Wang Y N 2011 Phys. Rev. Lett. 107 055002

    [20]

    Ahn S K, You S J, Chang H Y 2006 Appl. Phys. Lett. 89 161506

    [21]

    Suremdra M, Graves D B 1991 Appl. Phys. Lett. 59 2091

    [22]

    Liu Y X, Gao F, Liu J, Wang Y N 2014 J. Appl. Phys. 116 043303

    [23]

    Sansonnens L, Strahm B, Derendinger L, Howling A A, Hollenstein C, Ellert C, Schmitt J P M 2005 J. Vac. Sci. Technol. A 23 922

    [24]

    Sansonnens L, Howling A A, Hollenstein C 2006 Plasma sources Sci. Technol. 15 302

    [25]

    Hong B S, Xin Y, Zou S, Xu D S, Yu Y Q 2013 Acta Phys. Sin. 62 115202 (in Chinese) [洪布双, 辛煜, 邹帅, 徐东升, 虞一青 2013 物理学报 62 115202]

    [26]

    Lee M H, Lee H C, Chung C W 2010 Phys. Rev. Lett. 81 046402

    [27]

    Lee H C, Chung C W 2012 Phys. Plasmas 19 033514

    [28]

    Godyak V A, Piejak R B 1993 Appl. Phys. Lett. 63 3137

  • [1]

    Xu D S, Zou S, Xin Y, Su X D, Wang X S 2014 Chin. Phys. B 23 065201

    [2]

    Conrads H, Schmidt M 2000 Plasma sources Sci. Technol. 9 441

    [3]

    Yu Y Q, Xin Y, Ning Z Y 2011 Chin. Phys. B 20 015207

    [4]

    Kim H C, Lee J K 2004 Phys. Rev. Lett. 93 085003

    [5]

    Jiang W, Wang H Y, Zhao S X, Wang Y N 2009 J. Phys. D 42 102005

    [6]

    Fernández Palop J I, Ballesteros J, Colomer V, Hernández M A 1995 Rev. Sci. Instrum. 66 4625

    [7]

    Bang J Y, Chung C W 2010 Phys. Plasmas 17 123506

    [8]

    Chung T H 2006 Phys. Plasmas 13 024501

    [9]

    Wang X, Hershkowitz N 2006 Phys. Plasmas 13 053503

    [10]

    Godyak V A, Popov O A 1985 J. Appl. Phys. 57 53

    [11]

    Godyak V A, Piejak R B 1990 Phys. Rev. Lett. 65 996

    [12]

    Turner M M, Chabert P 2006 Phys. Rev. Lett. 96 205001

    [13]

    You S J, Ahn S K, Chang H Y 2006 Appl. Phys. Lett. 89 171502

    [14]

    Turner M M, Hopkins M B 1992 Phys. Rev. Lett. 69 3511

    [15]

    Turner M M 1995 Phys. Rev. Lett. 75 1312

    [16]

    Kaganovich I D 2002 Phys. Rev. Lett. 89 265006

    [17]

    You S J, Chung C W, Chang H Y 2005 Appl. Phys. Lett. 87 041501

    [18]

    Park G Y, You S J, Iza F, Lee J K 2007 Phys. Rev. Lett. 98 085003

    [19]

    Liu Y X, Zhang Q Z, Wang Y N 2011 Phys. Rev. Lett. 107 055002

    [20]

    Ahn S K, You S J, Chang H Y 2006 Appl. Phys. Lett. 89 161506

    [21]

    Suremdra M, Graves D B 1991 Appl. Phys. Lett. 59 2091

    [22]

    Liu Y X, Gao F, Liu J, Wang Y N 2014 J. Appl. Phys. 116 043303

    [23]

    Sansonnens L, Strahm B, Derendinger L, Howling A A, Hollenstein C, Ellert C, Schmitt J P M 2005 J. Vac. Sci. Technol. A 23 922

    [24]

    Sansonnens L, Howling A A, Hollenstein C 2006 Plasma sources Sci. Technol. 15 302

    [25]

    Hong B S, Xin Y, Zou S, Xu D S, Yu Y Q 2013 Acta Phys. Sin. 62 115202 (in Chinese) [洪布双, 辛煜, 邹帅, 徐东升, 虞一青 2013 物理学报 62 115202]

    [26]

    Lee M H, Lee H C, Chung C W 2010 Phys. Rev. Lett. 81 046402

    [27]

    Lee H C, Chung C W 2012 Phys. Plasmas 19 033514

    [28]

    Godyak V A, Piejak R B 1993 Appl. Phys. Lett. 63 3137

  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  1674
  • PDF下载量:  170
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2015-09-01
  • 修回日期:  2015-11-27
  • 刊出日期:  2016-03-05

甚高频激发容性耦合氩等离子体的电子能量分布函数的演变

  • 1. 苏州大学物理·光电与能源学部, 苏州 215006
  • 通信作者: 辛煜, yuxin@suda.edu.cn
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 11175127)资助的课题.

摘要: 甚高频激发的容性耦合等离子体由于离子通量和能量的相对独立可控而受到人们的关注. 本文采用朗缪尔探针诊断技术测量了40.68 MHz激发的容性耦合Ar等离子体的特性(如电子能量概率分布、电子温度和密度等)随宏观参量的演变情况. 实验结果表明, 电子能量概率分布随着气压的增加从双麦克斯韦分布逐步转变为单麦克斯韦分布并最终演变为Druyvesteyn分布, 而射频激发功率的增加促进了低能电子布居数的增强; 在从等离子体放电中心移向边界的过程中, 低能电子的布居数显著下降, 而高能电子的布居则有所上升; 放电极板间距的变化直接导致了等离子体中电子加热模式的转变. 另外, 我们也对等离子体中的高低能电子密度和温度的分配情况进行了讨论.

English Abstract

参考文献 (28)

目录

    /

    返回文章
    返回