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CsI光阴极在10100 keV X射线能区的响应灵敏度计算

黎宇坤 陈韬 李晋 杨志文 胡昕 邓克立 曹柱荣

CsI光阴极在10100 keV X射线能区的响应灵敏度计算

黎宇坤, 陈韬, 李晋, 杨志文, 胡昕, 邓克立, 曹柱荣
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  • 为了满足10100 keV高能X射线光电探测器研究的需要,对CsI光阴极在该能量范围的响应灵敏度进行了研究.基于高能量X射线光子与材料相互作用的物理过程,分析了康普顿散射等效应对CsI响应灵敏度的影响.推导了CsI的响应灵敏度与二次电子平均逃逸深度和光阴极厚度的关系式和二次电子平均逃逸深度与入射光子能量的关系式,计算了CsI在10100 keV范围内的响应灵敏度,计算结果与实验测试数据相符,验证了分析与推导的可靠性.根据计算可以获得不同入射X射线能量下CsI光阴极的最佳厚度,从而为高能X射线光电探测器的设计优化提供了理论参考.
      通信作者: 黎宇坤, lychate@126.com
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:11675157)和中国工程物理研究院科学技术发展基金(批准号:2015B0102015,2015B0102016)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2018-01-04
  • 修回日期:  2018-01-30
  • 刊出日期:  2018-04-20

CsI光阴极在10100 keV X射线能区的响应灵敏度计算

  • 1. 中国工程物理研究院激光聚变研究中心, 绵阳 621900
  • 通信作者: 黎宇坤, lychate@126.com
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:11675157)和中国工程物理研究院科学技术发展基金(批准号:2015B0102015,2015B0102016)资助的课题.

摘要: 为了满足10100 keV高能X射线光电探测器研究的需要,对CsI光阴极在该能量范围的响应灵敏度进行了研究.基于高能量X射线光子与材料相互作用的物理过程,分析了康普顿散射等效应对CsI响应灵敏度的影响.推导了CsI的响应灵敏度与二次电子平均逃逸深度和光阴极厚度的关系式和二次电子平均逃逸深度与入射光子能量的关系式,计算了CsI在10100 keV范围内的响应灵敏度,计算结果与实验测试数据相符,验证了分析与推导的可靠性.根据计算可以获得不同入射X射线能量下CsI光阴极的最佳厚度,从而为高能X射线光电探测器的设计优化提供了理论参考.

English Abstract

参考文献 (23)

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