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Vol. 18, No. 4 (1962)

1962年02月20日
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关于π-π作用
胡宁
1962, 84 (4): 177-183. doi: 10.7498/aps.18.177
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本文从下面拉格朗日函数出发,用Tamm-Dancoff近似计算π-π的P波和S波散射。P波的结果和Frazer-Fulco的解相同,但S波的共振行为也相当复杂。
核子与氘核散射相移的非单值性
时学丹
1962, 84 (4): 184-187. doi: 10.7498/aps.18.184
摘要 +
本文从氘与核子的散射截面在自旋转动下的不变性,讨论了由散射截面确定相移的非单值性。给出了在核子与氘核弹性散射下的南氏变换。
锰铋合金在不同热处理后的磁性研究
钟文定, 杨正
1962, 84 (4): 188-193. doi: 10.7498/aps.18.188
摘要 +
本文从实验上研究了晶粒不取向的锰铋合金在不同热处理后的磁性。实验结果显示,这种合金有两种磁性和电性都不相同的状态(相)。用有序无序转变可以说明这两种状态间的相互变化的动力学过程。
关于晶体管最高振荡频率有关因素的测量分析
王守觉
1962, 84 (4): 194-206. doi: 10.7498/aps.18.194
摘要 +
本文讨论了晶体管最高振荡频率有关因素的一种测量分析方法。利用在基极和集电极迴路中串入外加串联电阻后测量最高振荡频率的变动,可以同时获得晶体管共发射极短路电流放大零增益频率fT、基极电阻γb、集电极电容Cc以及本征的特性频率fTd。讨论了当基极层厚度调制作用所致的集电极电导起作用时的分析方法。最后分析了漂移晶体管最高振荡频率与晶体管外部参数的关系,结果说明,上述方法在考虑了适应于漂移晶体管的修正步骤后,除同样能得到fTd、γb、Cc等有关参数外,还可以分析得出漂移晶体管基极层中的漂移电场强度。
关于硫化镉单晶的生长速率
汤定元
1962, 84 (4): 207-210. doi: 10.7498/aps.18.207
摘要 +
本文分析了在不同温度下生长的硫化镉单晶的形状,把它归结为三个主要晶面的生长速率与温度的关系,并用晶面的平衡结构理论给以解释。
关于广义相对论中福克的谐和坐标条件
段一士, 张敬业
1962, 84 (4): 211-217. doi: 10.7498/aps.18.211
摘要 +
本文利用半度规表象的数学工具对福克的谐和坐标条件进行了比较详细的讨论,证明了该条件具有充分性,但却不具有唯一性。
用γ-γ符合方法测量潘诺夫斯基比值
А.Ф.杜那耶切夫, В.С.潘多也夫, Ю.Д.布罗高舒金, 唐孝威, М.Н.哈恰图梁
1962, 84 (4): 218-220. doi: 10.7498/aps.18.218
摘要 +
用γ-γ符合方法测量了停在氢中的负π介子的二个俘获过程的几率比。实验结果等于1.40±0.08。这个数值和利用光生π介子反应和π介子-核子散射数据推出的值是符合的。
关于非牛顿型流体边界层的研究
江体乾
1962, 84 (4): 224-226. doi: 10.7498/aps.18.224
摘要 +