搜索

文章查询

x

Vol. 22, No. 7 (1966)

1966年04月05日
目录
目录
研究简报
研究简报
领域
目录
横扫一切牛鬼蛇神
《人民日报》
1966, 132 (7): 729-730. doi: 10.7498/aps.22.729
摘要 +
触及人们灵魂的大革命
《人民日报》
1966, 132 (7): 731-732. doi: 10.7498/aps.22.731
摘要 +
原子吸收光谱法及火焰光度法测定钠时几种醇类溶剂的影响
黄本立, 裴蔼丽, 王俊德
1966, 132 (7): 733-742. doi: 10.7498/aps.22.733
摘要 +
在以Zeiss Ⅲ型火焰光度计改装成的装置上,以相同条件观察了不同浓度的甲醇、乙醇、丙醇对钠的原子吸收值及发射值的增强作用。测量了各种醇类、水溶液的表面张力及粘度,喷雾器的喷雾率及有效喷雾率,和火焰温度,并对醇类的增强作用的机理作了一些探讨。实验及计算结果表明,虽然有效喷雾率是决定吸收值增强作用的主要因素,但对于电离电位较低的碱金属,由于火焰温度降低而引起的电离度的减小亦起一定的作用,对于发射值的增强。除了有效喷雾率和电离度之外。还要考虑Boltznman因子e(Ei/kT)。
平面应力对氧化亚铜晶体四个激子线系的影响
王国文, 包燕鹏, 曹金瑞, 张光勇
1966, 132 (7): 743-748. doi: 10.7498/aps.22.743
摘要 +
于85℃烧焊在普通玻璃上的氧化亚铜晶体样品,在77°K时受到每平方毫米10多公斤的平面压缩应力。我们系统地研究了平面应力分别垂直晶体C4,C3和C2对称轴的若干样品的青和蓝激子线系的强反射线的分裂与强度。如果用Γpoee等人的假定,认为这些线系是与Γ7+-Γ8-和Γ8+-Γ8-带边跃迁相关,则现有的实验事实可以满意地加以解释。同样应力对这种晶体的黄和绿类氢激子线系的影响也作了研究,关于平面应力各垂直C4,C3和C2对称轴的诸情形,这些系中各线的位移已被测定,其结果指示绿系的里德伯常数和线系极限受平面应力的影响比黄系的大得多。
液体合金NaK的粘滞性
平一梅, 田蔭棠
1966, 132 (7): 749-756. doi: 10.7498/aps.22.749
摘要 +
我们曾用振球法在约300℃的温度范围内测定了液体合金NaK三种样品(K:49%,51%,74%)的粘滞性。结果表明,此类液体合金相当满意地遵守安德兰规律(η=Beb/T)。在本文中,除对实验设计及测量的叙述外,并对某些有趣问题作了讨论。
液体钾、钠及其合金NaK的密度
刘春賢
1966, 132 (7): 757-764. doi: 10.7498/aps.22.757
摘要 +
我们用膨胀计方法,在温度0—300℃的范围内,测定了液体金属钠、钾以及它们的合金NaK三种样品的密度。所用金属的纯度约在三个九以上,结果表明,所测液体金属及其合金的密度可作为温度的线性函数来表示,但NaK合金的(d,t)直线在接近冰点地方偏离直线上翘。
载有电流的超导膜的能隙和临界电流
吴杭生
1966, 132 (7): 765-769. doi: 10.7498/aps.22.765
摘要 +
利用文献所导出的补偿方程和电流方程,计算了一个载有电流的超导膜的能隙,给出了它和电流的依赖关系。所得到的结果适用于所有的温度,但电流数值要比较小。在温度接近Tc的范围内,本文还对超导膜的临界电流问题进行了讨论。文中指出,非局域效应对于比较厚的超导膜的临界电流是重要的,但是对于比较薄的超导膜是不重要的。
超导膜的能隙和磁场的依赖关系
吴杭生, 蒋建华, 应润杰
1966, 132 (7): 770-780. doi: 10.7498/aps.22.770
摘要 +
本文计算出超导膜在磁场中的能隙。所得到的表达式适用于所有的温度,但磁场要满足((ehp0/(mc) A/(πkBTc))2《1条件,其中A是矢势,hp0是Fermi动量。理论结果和实验进行了比较,符合得还好。
未耗尽载流子对P-N结反向特性的影响
魏希文
1966, 132 (7): 781-797. doi: 10.7498/aps.22.781
摘要 +
本文研究了P+-N结中载流子未耗尽时的二极管反向伏安特性和在大电流密度下合金晶体管集电极特性。首先,对雪崩击穿的机构,推导了载流子未耗尽时的P+-N结反向电流与电压的关系式。结果指出,倍增因子M不仅和加在结上的电压大小有关系,而且和流过结的电流J有关系。理论分析可以证明,当二极管几何结构满足一定条件时,可以观察到由于载流子对空间电荷的贡献不能忽略时所导致的等效电阻对P+-N结反向伏安特性的影响。用脉冲方法测量了锗合金二极管反向击穿后的伏安特性,实测结果和理论值很符合。其次,从理论上考虑了集电结中未耗尽载流子作用后,推导了P-N-P合金晶体管在大电流密度下集电结的雪崩倍增特性。由结果可见,晶体管在大电流密度下,集电结的倍增因子M不仅和电压有关系,而且和发射极的电Je有关系。分析指出,由于P-N结中未耗尽载流子的作用,在共发射极线路、基极断路时,若合金管电流放大系数α0在1/2.3~1范围内将会出现负阻。这个负阻已经被实验所证实。实验得至的整个负阻范围内的伏安特性与理论值符合较好。实验是在脉冲电流下进行的。并且在不同的环境温度下进行了测量。实验结果表明,随温度的升高整个负阻区的伏安曲线向电压高的方向有很微小的移动。这说明负阻的产生不是由于热效应引起,而是由于在大电流密度下的合金管的集电结中载流子不耗尽的结果。
四深针法测半导体电阻率的探针游移误差
丁守谦
1966, 132 (7): 798-808. doi: 10.7498/aps.22.798
摘要 +
本文首先导出四探针处于平面上任意位置时求算电阻率的公式,并由此出发获得一包括横向及纵向游移在内的游移误差普遍公式,用此公式可计算出直线探针及方形探针游移误差的大小。此外,还计算出了这两种探针用来测量薄片样品时的探针游移误差。研究指明在作精确测量时游移误差是不容忽视的。最后并讨论到消除或减少深针游移误差的方法。
耦合波导管本征值的讨论
顾福年
1966, 132 (7): 809-826. doi: 10.7498/aps.22.809
摘要 +
本文对文献提出一些不同的见解,对联系边界条件有另外的提法,在处理方法上亦有不同。本文认为耦合槽可以分为浅槽和深槽两种形式,首先对槽口的电场作了近似估计,然后用格林张量函数求出矩形和圆形波导耦合时的电磁场,再用边界条件得出本征方程;对于本征方程,认为可以用两个电路的导纳相等来理解。本文亦对耦合波导管的传输常数和原有波导管传输常数加以讨论,最后再对某些应用上的问题加以简单的讨论。
研究简报
KK和KK共振态
许伯威
1966, 132 (7): 840-841. doi: 10.7498/aps.22.840
摘要 +
νμ在质子上的吸收
章揚忠
1966, 132 (7): 842-843. doi: 10.7498/aps.22.842
摘要 +