搜索

x

Vol. 37, No. 1 (1988)

1988年01月05日
目录
目录
研究简报
研究简报
领域
目录
电场下量子阱的子能带和光跃迁
夏建白, 黄昆
1988, 37 (1): 1-10. doi: 10.7498/aps.37.1
摘要 +
在稳定态的假设下,将超晶格的有效质量理论推广到有电场的情形。在隧道穿透比较小的情况下,得到了与隧道共振方法一致的结果。系统地计算了电场下宽量子阱中量子态子能级、波函数和光学矩阵元。发现量子阱中第二激发态的粒子密度偏移和能量位移与基态相反。在电场下,子能带基本形状不变,二重简并解除。随着电场增大,△n=0跃迁选择定则将被△n=±1代替,这种转变发生在中等大小的电场下。
GaAs1-xPx中3d过渡金属杂质的电子结构
顾一鸣, 黄明竹, 汪克林
1988, 37 (1): 11-19. doi: 10.7498/aps.37.11
摘要 +
本文推广了Vogl等人的理论方法,将其用于对GaAs1-xPx中3d过渡金属杂质电子结构的研究。文中就不同的合金成份x,预言了不同3d杂质的受主能级、施主能级、局域电荷和自旋密度。理论预言与实验数据符合,并且揭示了它们的主要化学趋势。文中还就与理论和实验结果变化趋势有关的物理机制进行了讨论。
激光内爆靶的四分幅X射线阴影成像诊断实验和理论模拟
林尊琪, 张燕珍, 毕无忌, 陆海鹤, 何兴法, 赵志文, 韦小春, 施阿英, 王笑琴, 林康春, 李家明, 董骐
1988, 37 (1): 20-28. doi: 10.7498/aps.37.20
摘要 +
本文报道X射线阴影成像诊断技术的新发展,以及应用新发展的四分幅X射线阴影成像诊断于激光内爆微球靶动力过程的研究结果。我们的一维Lagrangian流体理论模拟程序(WL程序)成功地模拟出实验结果。诊断实验和理论模拟的密切结合是了解内爆动力学过程的必要途径。
非晶Nb-Ni合金的电子结构及其磁性和超导电性
吴柏枚, 陈兆甲
1988, 37 (1): 29-35. doi: 10.7498/aps.37.29
摘要 +
用紫外光电子能谱(UPS)研究了非晶Nb100-xNix(x=65,59.8,56.4)合金的电子结构,得到Nb-Ni合金的费密能级位于态密度曲线极小附近。从电子结构说明了Nb-Ni合金中存在双居里点现象的原因。对非晶Nb-Ni合金的电子结构分析指出:能量接近的两个d带杂化结果致使在费密面附近形成新的杂化带,杂化程度与两元素的价差有关。电荷转移引起带峰移动。费密能级态密度中应包含两部分的贡献:有利于磁性的3d电子态和有利于超导的4d电子态。费密能级处这两部分的分
α-Fe2O3单离子磁晶各向异性的计算及Morin转变的解释
杨桂林, 徐游, 翟宏如, 李华, 姜寿亭, 梅良模, 郭贻诚
1988, 37 (1): 36-42. doi: 10.7498/aps.37.36
摘要 +
本文根据晶场理论计算了α-Fe2O3的单离子磁晶各向异性。采用点电荷模型,计及近邻及次近邻对晶场的贡献,并考虑到近邻O2-离子对次近邻Fe3+离子的电屏蔽效应,在六级微扰近似下,得到单离子各向异性场Hsi=102.3×102Oe。这一结果结合Artman等人对磁偶极各向异性的计算,导出了α-Fe2O3的Morin转变温度T
ZnWO4晶体中W原子的配位数
汪泓, 刘燕, 周亚栋, 陈纲, 胡伯清, 顾本源
1988, 37 (1): 43-48. doi: 10.7498/aps.37.43
摘要 +
本文依据X射线结构数据和Raman光谱测量,分析了闪烁体ZnWO4单晶中W原子的配位情况。得出在属黑钨矿结构的ZnWO4中,认为W的配位数Z为6较4要合适些,即把发光中心看作是WO6原子基团比WO4-2离子更合适些。同时得到四条ZnWO4晶体的Raman新谱线。
远红外光纤材料(MnF2)x(BaCl2)100-x玻璃结构的EXAFS和WAXS研究
黄胜涛, 向士兵
1988, 37 (1): 49-56. doi: 10.7498/aps.37.49
摘要 +
本文用扩展X射线吸收谱(EXAFS)和X射线大角散射谱(WAXS)对远红外光纤材料复合卤化物玻璃(MnF2)x(BaCl2)166-x(x=65,60,55)的短程结构进行了研究。从MnK吸收限的EXAFS和样品的非晶衍射图,得到了Mn原子的近邻原子配位信息。结果表明F,Cl原子在Mn原子周围形成了混合配位的八面体(MnCl2F4),这些八面体以Mn—F键为桥键连成“之”字型
非晶态快离子导体(AgI)x(Ag4P2O7)1-x的声学性质
吴昆裕, 丁屹, 俞文海
1988, 37 (1): 57-63. doi: 10.7498/aps.37.57
摘要 +
用液氮骤冷方法制备了(AgI)x(Ag4P2O7)1-x系列非晶态快离子导体。对AgI摩尔浓度x=0.50,0.60,0.67,0.75,0.80的样品,在77—300K温度范围及2,5,10,15MHz的频率上测量了纵波和横波的超声衰减和声速。发现在200—240K附近存在一个异常强的弛豫型超声吸收峰,随AgI含量的增加,该峰的位置向低温方向移动,且峰的高度增大。在实验的温度范围内,观察到纵波和
颗粒介质中声衰减的浓悬浮粒子理论及其应用
钱祖文
1988, 37 (1): 64-70. doi: 10.7498/aps.37.64
摘要 +
本文扼要介绍了作者建立的颗粒介质中的浓悬浮粒子理论,并将数值计算与已发表的有关实验比较,得到了满意的一致性。关于海洋沉积物的声衰减系数与频率的关系,因为不同的作者在不同的频段得到不同的关系,即高频段(几千赫以上)近似为线性关系,低频段(1千赫以下)高于一次方关系,曾产生长时期的争执,而根据本文的理论,这一争执可以得到统一。本文对颗粒参数的声学测量进行了探索,强烈地认为,除了测量颗粒介质的平均粒径之外,还要测量其第二粒径参数(如方差)才能完整描写颗粒介质的性质。本文可以作为新型颗粒参数测量仪的理论基础
F离子弹性反冲法分析固体中H的深度分布
刘家瑞, 朱沛然, 封爱国, 李大万
1988, 37 (1): 71-76. doi: 10.7498/aps.37.71
摘要 +
本文报道7—8MeVl4+离子弹性反冲法(ERD)分析固体中H的深度分布。实验和理论分析表明,近表面处的深度分辨率为200—300?。探讨了散射几何条件和入射能量等的最佳化问题。比较了同一样品用F离子ERD法与6.4MeV1H(19F,αγ)16O核反应法(NRA)的测试结果。表明F离子ERD法是快速(5—10min)、低辐照(5—10μC)、深度分辨和灵敏度较好的分析固体中H的深度分布的一种方法。
可逆保面积映象同周期分歧的解析研究
汪秉宏
1988, 37 (1): 77-86. doi: 10.7498/aps.37.77
摘要 +
从可逆保面积映象偶周期轨道线性Jacobi矩阵的一般结构,讨论了对称周期轨道的两种分歧行为。给出可逆保面积映象的同周期分歧条件及区分三种同周期分歧类型的解析判据。以De Vogelaere映象的实例说明了解析方法的应用。
Hubbard模型的局域方法近似
魏国柱, 聂惠权, 张开义
1988, 37 (1): 87-94. doi: 10.7498/aps.37.87
摘要 +
本文基于同一格点的电子相关和最近邻格点间的电荷相关及自旋相关,把局域方法的级数展开用于Hubbard模型。和通常的二阶计算不同,我们在计算中保留了项。比较这两种不同计算方法所得到的结果,发现在U较大时,项对顺磁相的相关能、基态能量、局域磁矩和由局域磁矩引起的反铁磁极化均有不可忽略的修正。要准确计及电子相关效应,还需通过作更高阶展开,以考察级数的收敛性。
管状和闭合磁畴壁的拓扑分类
阎凤利, 李伯臧
1988, 37 (1): 95-104. doi: 10.7498/aps.37.95
摘要 +
本文从拓扑学角度,对管状磁畴壁和闭合磁畴壁静态结构的分类问题,做了统一处理。这两种磁畴壁的同伦类集合GW(n)和GW(n),分别与S2→S2和S3→S2的n+1基点连续映射的相对同化类集合是一一对应的,因而构成同构于整数加群Z的群,分别称为n式管壁群和n式闭壁群。重新讨论了Slonczewski等人定义的“绕数”,找出了用它表征管壁
Bethe-Salpeter方程中位势的一类旋量结构
马桂荣, 张鉴祖
1988, 37 (1): 105-110. doi: 10.7498/aps.37.105
摘要 +
本文给出了在瞬时相互作用下自然JPC分子三维波函数的最一般的旋量结构及其空间波函数所满足的标量方程组。它们分成三大类。给出了在唯象上合理的位势旋量结构的选择下三维波函数的旋量结构的解。
CeCu2Si2和UBe13的超导理论(Ⅱ)——热力学量的计算
徐继海
1988, 37 (1): 111-118. doi: 10.7498/aps.37.111
摘要 +
根据文献[1]中给出的模型和能隙方程,计算了超导态的热力学临界磁场,Tc处的比热跃变以及Tc以下的比热行为。结果表明:有关热力学量的临界值与实验结果定性相符;Tc以下的比热行为在整个温区与CeCu2Si2和UBe13的实验结果符合。
标准映象的周期分岔及其向混沌的过渡
刘军贤, 陈光旨, 王光瑞, 陈式刚
1988, 37 (1): 119-127. doi: 10.7498/aps.37.119
摘要 +
本文研究了标准映象的周期轨道在其余数R=1和R=0附近的行为,对于前者出现倍周期分岔序列,其分岔率δ及标度因子α和β与其它二维保面积映象的结果一致;对于后者发生同周期分岔,这与标准映象的奇对称性有关。文中还计算了混沌轨道的李雅普诺夫指数,发现在倍周期分岔序列的聚点k∞附近,存在标度关系: λ=λ∞+A(k—k∞)+B(k—k∞)τ, 其中因子τ=0.32。这与理论推断的结果τ=(ln(2))/(l
研究简报
多基点同伦群理论
阎凤利, 李伯臧
1988, 37 (1): 128-131. doi: 10.7498/aps.37.128
摘要 +
本文建立了一个定理:当拓扑空间V单连通时,N(≥1)基点n阶同伦类集合πn(V;v1,v2,…,vN)可被构造成同构于单基点n阶同伦群πn(V)的群,叫做N基点n阶同伦群;并且V的单连通性一般是不可省略的条件。给出了一些推论。简要地触及了这个定理及其推论在铁磁状态拓扑分类中的应用问题。
推广伊辛自旋模型的临界温度曲线
唐坤发, 胡嘉桢
1988, 37 (1): 132-135. doi: 10.7498/aps.37.132
摘要 +
本文运用作者所发展的同普适类等标度变换理论,研究推广的伊辛自旋模型,得到了这种模型的临界温度曲线。
SrCl2:Co++EPR谱电场效应的理论解释
白贵儒, 徐长青
1988, 37 (1): 136-140. doi: 10.7498/aps.37.136
摘要 +
本文从理论上研究了[111]方向电场对SrCl2:Co++的EPR谱的影响。结果表明:外电场使晶格发生畸变而偏离原来的Oh对称,成为C3v。由此圆满地从理论上解释了零场分裂因子D随电场强度E线性变化的实验规律,并从理论上预言了晶格在平行电场方向的变化率为α=—8×10-5α0mm/kV,在垂直电场方向的变化率β=1.66×10-4α0
用半经验CNDO/INDO方法计算离子晶体中的电子态
刘靖疆, 崔笠晶, 万良风
1988, 37 (1): 141-146. doi: 10.7498/aps.37.141
摘要 +
本文报道在分子簇(MC)模型的框架内,用半经验CNDO/INDO方法对离子晶体及其点缺陷的电子态进行计算。引用计算分子结构的CNDO/INDO程序加以改造,使之适合于离子晶体及其点缺陷的计算。在此基础上,计算了LiF,NaF,LiCl,NaCl四种晶体的价带宽、禁带宽、有效离子电荷等参数和F色心基态能级的位置。所得结果与以前报道的各种计算和实验结果进行了比较。
α-Al2O3单晶中Fe3+离子的电子顺磁共振
金通政, 韩世莹, 睦云霞
1988, 37 (1): 147-151. doi: 10.7498/aps.37.147
摘要 +
本文对α-Al2O3单晶体中Fe3+离子在室温下,X波段进行了电子顺磁共振研究,发现Fe3+离子实际上占据四种磁性不等价晶位。在同一氧离子层间的两种晶位上的Fe3+离子具有相同的自旋哈密顿参量,而不同氧离子层间的晶位上的Fe3+离子具有不同的自旋哈密顿参量,两种自旋哈密顿参量为:(1)g‖=2.001,g⊥=2.003,D=1679
氢离子注入对硅单晶电子辐照缺陷和氢泡形成的影响
高愈尊, 大贯惣明, 高桥平七郎, 佐藤義一, 竹山太郎
1988, 37 (1): 152-156. doi: 10.7498/aps.37.152
摘要 +
以50keV和100keV能量的氢离子注入p型(100)直拉硅单晶薄膜。注入剂量为1015—2×1017H+/cm2。试样在HU-1300型超高压透射电子显微镜中进行电子辐照和原位加热动态观察。结果表明在20—300℃温度范围内与未注氢硅相比,注氢硅在相同的电子辐照条件下产生的电子辐照缺陷较少,电子辐照缺陷形成所需的潜伏时间较长。在电子显微镜中加热试样时于190℃开始观察到氢泡,190—220℃范围内氢泡逐渐产生并长大
GaAs掺杂超晶格的光反射谱
汤寅生, 王炳燊, 江德生, 庄蔚华, 梁基本
1988, 37 (1): 157-161. doi: 10.7498/aps.37.157
摘要 +
不同调制光强下测量了MBE GaAs掺杂超晶格的室温光反射谱。较低光强下观察到一系列对应于禁戒跃迁(△n≠0)的精细结构,因此否定了它是三阶微商谱的可能性。明确提出了掺杂超晶格的光反射为一阶微商谱,并讨论了其产生机制。理论计算结果能较好地解释实验现象。
Ge1-xSix混晶声子谱
傅英, 徐文兰
1988, 37 (1): 162-166. doi: 10.7498/aps.37.162
摘要 +
本文在虚晶背景中嵌入5原子集团,采用Recursion方法计算了Ge1-xSix混晶的声子谱,详细分析了振动模式的形成和发展过程。
聚双(对甲苯磺酸)-2,4-己二炔-1,6-二醇酯(PTS)的热学性质
杜英磊, 吴柏枚, 何平笙
1988, 37 (1): 167-171. doi: 10.7498/aps.37.167
摘要 +
应用光声效应研究了聚双(对甲苯磺酸)-2,4-己二炔-1,6-二醇酯(PTS)在175—225K范围内的热学性质随温度的变化关系。发现比热C3和热导K的积C3·K在200K附近有一尖锐的峰,第一次由热学性质确定该处存在一个二阶相变。同时通过实验结果分析得到热导K在该温区内存在与温度成正比的反常行为,并对此作了分析。
H,He,Kr杂质在过渡金属和贵金属中的行为
楼永明, 顾秉林, 高乃飞, 熊家炯, 曹必松, 郁伟中
1988, 37 (1): 172-176. doi: 10.7498/aps.37.172
摘要 +
本文以胶体模型为基础,利用密度泛函理论,局域密度近似研究了H,He和Kr在过渡金属Ni,Fe,Cr和贵金属Cu中的空位团复合体的电子结构、正电子湮没寿命。结果表明:随着复合体尺寸的增加,杂质的束缚态电子能级变浅,散射态电子在复合体内的平均密度变小,正电子在复合体内的几率增大,正电子湮没寿命增加。