Vol. 38, No. 7 (1989)
1989年04月05日
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1989, 38 (7): 170-176.
doi: 10.7498/aps.38.170-2
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本文推广了广义相对论的两个定理,把定理条件中的对称性减弱为共形对称性。推广后的定理为:1)Einstein方程的共形球对称电磁真空解必为Reissner-Nordstr?m解;2)Einstein方程的共形平面对称电磁真空解必为Kar解。
1989, 38 (7): 1041-1047.
doi: 10.7498/aps.38.1041
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本文应用随机统计理论方法获得了一二能级原子系综在多模压缩光驱动下的共振辐射光谱。对应于光场起伏的不同压缩程度,辐射光谱的中峰出现亚自然线宽与超自然线宽现象。它的边峰在任意情况下都被展宽,而且当光场起伏的压缩方向与光场振幅的相干激发方向不平行或不垂直时,辐射光谱均呈现不对称分布。
1989, 38 (7): 1048-1055.
doi: 10.7498/aps.38.1048
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利用电热法将含金物质加热,产生Au原子束,再以两束UV脉冲激光垂直照射,将处于基态的Au原子共振激发至高Rydberg态。滞后于激光脉冲200ns的高压脉冲电场(6500V/cm)加到反应区,使处于Rydberg态的Au原子电离。激光波长在一定范围内扫描,共测出了Au原子的n2D3/2(n=18—38)和n2S1/2(n=21—34;36—38)两通道的38条能级的位置。用参数拟合得到2D3/2和2S1/2两系列的极限分别为:ED=74409.8(3)cm-1,ES=74410.0(2)cm-1,计算了每条能级的量子亏损。我们的实验还证明了场电离是一种十分有效的电离手段,比用通常的激光光电离效率要高得多。这在共振电离谱学(RIS)的研究中是一种很有效的方法。
1989, 38 (7): 1056-1061.
doi: 10.7498/aps.38.1056
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从Hartree-Slater(H-S)自洽场理论出发,考虑了H-S自洽场理论所忽略的残余作用。以Ne原子和Ne+离子K壳层近阈光电离截面及其比值的计算为例,讨论了残余作用的影响,并和实验进行了比较。
1989, 38 (7): 1062-1068.
doi: 10.7498/aps.38.1062
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本文应用平均物重整化群方法对于具有非晶化表面的半无限伊辛铁磁系统,在有表面无规场存在的情形,其表面磁性的临界性质包括临界温度、三临界点以及重入现象的可能性作了详细的研讨。
1989, 38 (7): 1069-1076.
doi: 10.7498/aps.38.1069
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本文提出了一个由低能电子衍射能带理论计算所确定的Si{001}2×1表面新的原子结构模型。新结构模型包括二聚键长ld=2.387?,表面三个原子层间距d1=0.50±0.01?,d2=0.96±0.01?,d3=1.17±0.01?和二聚原子的两个反对称移动。
1989, 38 (7): 1077-1085.
doi: 10.7498/aps.38.1077
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本文提出了一个由低能电子衍射能带理论计算所确定的Si(111)7×7表面的不等边三角形聚合与添加原子模型。发现:第一层空间距dk=0.95±0.02?(膨胀21.3%±0.02?),第二层空间距dl=0.83±0.02?(膨胀5.9%±0.02?),第三层空间距dl=0.69±0.05?(收缩10.9%±0.08?)和第四层空间距db=2.38±0.08?(膨胀3.8%±0.08?)。
1989, 38 (7): 1086-1092.
doi: 10.7498/aps.38.1086
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本文报道了对分子束外延(MBE)生长的In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱结构在77K下的压力光荧光(PL)研究的结果。流体静压力从0到50kbar.,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱的Γ谷压力系数,实验观察到了量子阱中能级与势垒GaAs中X谷的能级交叉。通过对其压力行为的分析,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs异质结的导带与价带跃变比:Qc=△Ec:△Ev=0.68:0.32。对(InGa)As-GaAs应变量子阱常压下的理论分析与实验符合很好。本文也对Al0.3Ga0.70As-GaAs量子阱进行了讨论。
1989, 38 (7): 1093-1102.
doi: 10.7498/aps.38.1093
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本文采用一种新的变分波函数描述GaAs/Ga1-xAlxAs窄量子阱中的浅施主基态,并计算了杂质基态波函数和结合能。计算所得数值结果表明正确考虑窄量子阱与杂质势间的耦合作用是极为重要的。
1989, 38 (7): 1103-1110.
doi: 10.7498/aps.38.1103
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本文提出了一种便于计算的GaAs,AlAs和AlGaAs的解析能带。运用LCAO传输矩阵模型,得到了传输特征值和能量有效质量。由二能谷传输特征函数的研究,导出了异质界面的谷间转换,在此基础上提出了对称性变换器和对称性滤波器的新概念。使用能量有效质量及界面谷间转换系数,导出了单带双谷包络函数方程及其边界条件。把这一理论应用于GaAs/AlGaAs/AlAs系统算出了超晶格量子阱的束缚能级与波函数,并对这一广义有效质量理论的意义进行了讨论。
1989, 38 (7): 1111-1121.
doi: 10.7498/aps.38.1111
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本文提出了一种计算多层介质中注入离子深度分布的新方法。该方法把Monte Carlo模拟与输运方程的数值解法相结合,取其各自的优点,考虑了离子在界面处的反射,给出多层介质中射程分布表达式。理论与实验比较表明,两者符合得很好。
1989, 38 (7): 1122-1126.
doi: 10.7498/aps.38.1122
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对HR-1型奥氏体不锈钢在室温下注入了70keV 5×1016—1018cm2的4He离子,进行了上升至1273K的恒时退火实验。使用2.5MeV的质子弹性散射、TEM和SEM分析法研究了He在其中的捕获、迁移与释放特性。
1989, 38 (7): 1127-1133.
doi: 10.7498/aps.38.1127
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本文用位错连续分布方法分析了位错所产生的应变和应力场,用位错规范场表出了位错芯区的位错分布,并在一定规范条件下求解了位错规范场。得到了螺位错芯区内、外的应力场。在螺位错芯区外,其应力场与Volterra位错的应力场完全一样,而在芯区内,当ρ趋于零时,螺位错的应力场是有解的。最后计算了螺位错的能量。
1989, 38 (7): 1134-1139.
doi: 10.7498/aps.38.1134
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本文描述邻苯二甲酸氢钾(KAP)单晶中包裹物的X射线衍射形貌衬度及其本质的测定结果。提出应用“包裹物点缀”形貌技术测定单晶中大面积应变区本质的实验方法和结果,为深入了解晶体结构内部薄弱环节提供另一可行的途径。
1989, 38 (7): 1140-1045.
doi: 10.7498/aps.38.1140
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本文考虑在Sierpinski gasket及分支Koch曲线上的自迴避迹行走,运用实空间重整化群技术求出了相应的关联长度临界指数ν。结果表明,在Sierpinski gasket上,自迴避迹行走与自迴避行走属同一普适类;而在较高分枝度(Rmax>3)的Koch曲线上,两者属不同普适类。
1989, 38 (7): 1146-1153.
doi: 10.7498/aps.38.1146
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本文采用红外发散和隧道态模型,讨论玻璃超声声速在3K温度以下的行为。我们把声速的改变看作两部分组成:无弛豫过程和有弛豫过程。前者采用“玻色型元激发”理论处理;后者采用“含红外发散的隧道弛豫”理论处理。我们不但得到与实验符合较好的声速-温度曲线,并且解释了一般频率下(107Hz,T为0.3—1K),声速与频率无关的lnT规律和高频下(2GHz,T<0.1K)声速存在极小值的现象。
1989, 38 (7): 1154-1161.
doi: 10.7498/aps.38.1154
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本文报道了用角分辨紫外光电子谱对一氧化碳分子在铁(110)表面上吸附的取向进行的研究。实验结果与理论计算比较表明,在低温下(≈150K)较低覆盖度时,一氧化碳分子直立在铁表面上,分子轴线与铁表面法线的夹角不超过10度。
1989, 38 (7): 1162-1166.
doi: 10.7498/aps.38.1162
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本文描述了一种微振动的激光测量方法。该方法利用F-P标准具的光学共振特性,借助于激光强度比较式F-P空腔锁定技术,在一般实验室条件下,实现了最小被测振幅可达10-12cm数量级的微振动测量。
1989, 38 (7): 1167-1171.
doi: 10.7498/aps.38.1167
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本文从广义协变的运动方程和麦克斯韦方程出发,导出了电子等离子体波各量的解析表达式。指出△ω=2ωp的等离子体波是完全简谐的。完全共振的条件由△ω=2ω(p0)[1+(e2(A2((1)2)+(A2((2)2))/(2m2c4)+(3e2A2(1)A2(2))/(m2c4)]-1/2 给出。
1989, 38 (7): 1172-1176.
doi: 10.7498/aps.38.1172
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用双光子激发的方法观察了Ca,Sr原子在电场中经典场电离限以上的激发光谱。讨论了光谱共振结构与电场和光的偏振的关系。
1989, 38 (7): 1177-1181.
doi: 10.7498/aps.38.1177
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继作者对Damon和Easbach(简称DE)理论在长波部分的修正,本文探讨了DE理论在短波部分的适应性,研究了具有单轴各向异性和弱交换作用的偶极自旋模式,给出了临界角的表达式,并分析了频率-波矢空间的实际图象。所得结果与铁磁共振的频谱实验结果较好地符合。
1989, 38 (7): 1182-1186.
doi: 10.7498/aps.38.1182
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本文通过分析金属-金属型非晶合金中磁感生各向异性随成分的变化关系,提出了四面体元方向有序的模型。与实验拟合结果表明此模型与实验符合较好。
1989, 38 (7): 1187-1190.
doi: 10.7498/aps.38.1187
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本文通过decoration变换和decimation变换把在平方晶格上的自旋-1模型等价于一个checkerboard晶格上具有次近邻和四体相互作用的伊辛模型,并得到自旋-1模型的近似临界条件。该近似临界条件在极限情况下与Onsager的严格解一致。
1989, 38 (7): 1191-1195.
doi: 10.7498/aps.38.1191
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本文考虑Kagome晶格上的混合自旋模型,运用decimation和对偶变换,证明它等价于一个八顶角模型。由八顶角模型的自由费密近似解给出了该模型的自由能及临界条件的近似表达式。
1989, 38 (7): 1196-1198.
doi: 10.7498/aps.38.1196
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本文运用严格重整化交换研究了三结点hierarchical晶格上具有三体相互作用的伊辛模型。研究表明,与布喇菲晶格上的情况一样,最近邻二体相互作用伊辛模型与三体相互作用伊辛模型(Baxter-Wu模型)属于不同的普适类。
1989, 38 (7): 1199-1204.
doi: 10.7498/aps.38.1199
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本文从准二维玻色凝聚出发,研究了层状高温超导氧化物材料中,层厚度和氧空位对临界温度的影响。所得结论应用到YBa2Cu3O7中,与已知的实验定性符合。
1989, 38 (7): 1205-1209.
doi: 10.7498/aps.38.1205
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单畴化不完善对铁电晶体的衍射强度有重要影响,在晶体结构分析中必须予以考虑。对于磷酸氢铅,本文导出了用来修正这种影响的关系式。在该晶体的结构分析中引入这种修正以后,得到了较好的拟合。
1989, 38 (7): 1210-1214.
doi: 10.7498/aps.38.1210
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本文用反型层模型,对常温下n-Ge中的反常霍耳效应进行了理论上的定量计算,取得了与实验一致的结果。
1989, 38 (7): 1215-1224.
doi: 10.7498/aps.38.1215
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本文提出了一种新型的自由电子激光器—自由电子迴旋谐振激光器。文中给出了这种激光器的电子效率和起振电流表达式。
1989, 38 (7): 1225-1234.
doi: 10.7498/aps.38.1225
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本文从密度矩阵运动方程出发,对四能级阶跃型及折迭型能级结构的分子系综与不同性质偏振激光场作用时,可能发生的五种近共振增强三光子电子跃迁分别作了具体推导,获得了以第三跃迁为探测跃迁时的实验讯号强度及光谱特征解析式。通过与三能级系统作比较,发现其线型因子、谱线强度因子均有不同程度的增大,使讯号相对强度有数量级的提高。最后还讨论了所得讯号在分子光谱分析中的应用前景。
1989, 38 (7): 1234-1252.
doi: 10.7498/aps.38.1234
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本文通过理论分析研究了a-Si:H结中横向光生伏特效应的定态与瞬态特性。所得结果表明理论与实验非常符合。值得注意的是,按理论关系应用常规不掺杂a-Si:H特性值估算的两个重要参数(样品中的薄层电阻1/σs和传输时间Tm)均比由实验得出的值大得多。基于合理的分析。我们认为在a-Si:H层中平行于结输运的电子可能具有异乎寻常高的载流子迁移率。
1989, 38 (7): 1253-1258.
doi: 10.7498/aps.38.1253
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本文分析了椭偏光法测量各向异性晶体时入射角和起偏角对测量灵敏度的影响,着重讨论了如何选择合适的实验条件以测量低度各向异性(|n0—nc|0—nc|<0.1的KNSBN铁电晶体,获得了可靠的结果。
1989, 38 (7): 1259-1264.
doi: 10.7498/aps.38.1259
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用X射线形貌术及光学双折射形貌术对天然绿柱石晶体中的生长区界面进行了研究。观测发现,同类生长区的界面在两种形貌中通常不出现可见的衬度;异类生长区界面中,t-s界面在X射线形貌中呈现动力学干涉条纹衬度,表明它们具有平移型界面的特征,根据消光规律知其相应的位移矢量很可能与界面垂直;在双折射形貌中,异类生长区界面衬度的出现与界面两侧存在不同的长程应变场有关。实践表明,两种形貌术互相补充,互相参证,在生长区界面的研究中是十分有效的。
1989, 38 (7): 1265-1270.
doi: 10.7498/aps.38.1265
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本文中把金属离子-银溶胶系统的透射光谱、电子显微镜照片和喇曼光谱进行对比,总结出银溶胶的聚集状态与表面增强因子的一般关系。
1989, 38 (7): 1271-1279.
doi: 10.7498/aps.38.1271
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本文研究了分子束外延(MBE)生长的n-N型Si/GaP(111)异质结的界面特性。采用C-V法测量Si/GaP(111)异质结的表观载流子浓度分布n(x),从中导出了异质界面的导带失配值和界面电荷密度。实验结果表明,n-N型Si/GaP(111)是一种弱整流结构。导带失配△Ec=0.10eV,界面电荷密度σi=8.8×1010cm-2。通过表现载流子浓度n(x)的理论计算曲线与实验曲线符合较好,说明了实验结果的可靠性
1989, 38 (7): 1280-1289.
doi: 10.7498/aps.38.1280
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本文运用CBF(correlation basis function)理论,由电子间的有效势Veff(R)和电子气的集体振荡行为,给出准二维电子体系——半导体反型层中的电子的关联因子U(R),得到该体系的对关联函数、关联能和多体波函数。
1989, 38 (7): 1290-1298.
doi: 10.7498/aps.38.1290
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对六种钨青铜结构的铌酸盐铁电晶体进行了从15K到室温范围的介电特性及热电特性的研究。分析其介电特性和热电特性与极化电场的关系,用X射线粉末衍射进行佐证。证实在50—70K的范围内,SBN,PBN,KNSBN三类铁电钨青铜型铌酸盐晶体均存在着一个新的相变。相变是由点群4mm铁电相到点群mm2铁电相的转变。铁电自发极化方向由四方晶胞的e轴方向转变到正交晶胞的b轴方向。介电特性的高频及低频测量表明该相变具有扩散(或称瀰散)型特征。比热的实验结果证明相变是属于高于一阶相变的高阶相变。对相变前
1989, 38 (7): 1299-1305.
doi: 10.7498/aps.38.1299
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研究了单晶和多晶纯铝蠕变过程中的低频内耗。在单晶纯铝中观察到:内耗在蠕变初期单调下降,在蠕变第一阶段后期出现了一个显著的时间内耗峰,在蠕变第二阶段内耗趋于稳定值。多晶纯铝在类似实验条件下则不出现时间内耗峰。文中分析了出现时间内耗峰的条件和原因,认为它是由于蠕变第一阶段中运动位错的阻尼系数逐渐增大所引起的。文中还从蠕变过程中位错运动的微观机制出发,推导出了蠕变过程中内耗的表达式,满意地解释了实验结果。
1989, 38 (7): 1306-1312.
doi: 10.7498/aps.38.1306
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实验表明:蠕变过程中的内耗兼有Maxwell二参量模型的性质和滞弹性三参量模型的性质。本文提出一个用以描述蠕变过程中内耗的四参量模型。由此模型推导出的内耗表达式为Q-1=1/(ωτ1)+△(ωτ2)/(1+ω2τ22),式中ω为测量圆频率,τ1和τ2分别为粘弹性内耗和滞弹性内耗的弛豫时间,△为弛豫强度。这个内耗表达式可以满意地说明蠕
1989, 38 (7): 1313-1321.
doi: 10.7498/aps.38.1313
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实验结果表明:在He2+和H2,O2碰撞过程中存在着双电子俘获而产生激发态的过程,同时也存在着单电子俘获而产生激发态的过程。在靶H2,O2直接激发过程中,测量到了巴耳末系Hα,Hβ,Hγ和OI的发射谱。本文给出随入射离子速度变化的Hel,Hell和Hα,Hβ,Hγ,O
1989, 38 (7): 1322-1328.
doi: 10.7498/aps.38.1322
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实验利用TN-1710光学多道分析系统(OMA),对H1+,H2+,H3+和He,Ne,Ar碰撞过程中产生的巴耳末系Hα,Hβ,Hγ发射进行了测量,入射离子H1+,H2+,H3+的
1989, 38 (7): 1329-1333.
doi: 10.7498/aps.38.1329
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本文用微扰论的计算方法,求出在粘弹性阻尼较小但不可忽略的情况下,弹性杆内纵向孤波的形状、速度及能量随时间的变化规律。结果表明,粘弹性阻尼使孤波逐渐变矮、增宽、速度减慢,能量逐渐耗散,最后导致孤波的消失。
1989, 38 (7): 1334-1338.
doi: 10.7498/aps.38.1334
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本文探讨了用逼近法计算扩散系数和浓度的函数关系的方法。逼近法克服了Boltzmann-Matano法的主要缺点。采用逼近法,可以按我们要求的精度求出扩散系数与浓度之间的准确关系。本文研究了扩散方程及其解的一一对应性,证明了逼近法的可靠性。用逼近法研究了玻璃中一价阳离子之间的相互扩散行为,实验证明结果较好。
1989, 38 (7): 1339-1343.
doi: 10.7498/aps.38.1339
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本文初步讨论了不同体系中的分形体的生长规律,通过对不同分形体体系透射光谱的分析,发现透射光谱中新吸收带的位置与时间对数关系曲线大致由两条直线组成,这说明分形体的主要生长过程按速度大致可分为两个阶段。
1989, 38 (7): 1344-1347.
doi: 10.7498/aps.38.1344
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本文用自洽迭代的方法研究了顺式聚乙炔cis-(CH)x中双极化子的电子能谱。结果发现,除了禁带中两个在连续模型中存在的深能级电子束缚态外,还存在一些浅能级的电子束缚态。它们形成分立的能级,并分别位于导带的顶部和底部以及价带的顶部和底部。这些电子态的定域程度随着电子晶格耦合参数λ及电子相互作用U的不同而变化。
1989, 38 (7): 1348-1353.
doi: 10.7498/aps.38.1348
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应用X射线形貌技术研究了掺In和不掺In砷化镓单晶的滑移位错。观察到由于位错密度不同,其滑移位错的组态不同。对滑移位错和胞状网络进行了初步的理论解释。
1989, 38 (7): 1354-1359.
doi: 10.7498/aps.38.1354
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(Na0.5Bi0.5)TiO3-BaTiO3系统在一定组成范围内是性能优良而独特的超声换能器陶瓷新材料。本文工作用X射线粉末衍射方法精确测定了单组分(Na0.5Bi0.5)TiO3的晶胞参数,提出与前所报道不同的新的晶胞类型;在此基础上给出该系统不同组成点的晶格参数,并对性能、晶格参数和组成之间关系和相关系作初步讨论。
1989, 38 (7): 1360-1363.
doi: 10.7498/aps.38.1360
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根据元素扩散数据、相形成热和它们的稳定性,分析了二元扩散偶界面元素扩散和中间相的形成。并实验研究了Ti-Ni,Nb-Sn和Ta-Pt三个系统。
1989, 38 (7): 1364-1368.
doi: 10.7498/aps.38.1364
摘要 +
若小空位团中存在束缚能小于晶体德拜能量的正电子捕获态,则这一能态对自由正电子的捕获具有较强的温度依赖性。这种温度依赖性有两种类型,且比捕获率的取值也可能相当高,显示了与位错的很大不同。
1989, 38 (7): 1369-1374.
doi: 10.7498/aps.38.1369
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用2.7μCi的60Co弱γ源和NaI(Tl)与Ge(Li)双探测器符合测量方法,测量了Al,Zn,Sn,Pb四种样品的电子对产生绝对截面。测量结果与前人用很强γ源得到的结果相符合,并验证了在近阈条件下,对产生截面满足Jaeger关系式:σpair=(Z2+aZ4)σ0,求得对60Co源γ光子,α=(1.51±0.23)×10-4,σ0
1989, 38 (7): 1375-1378.
doi: 10.7498/aps.38.1375
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在LnBa2Cu3O7-y单晶上的一系列实验事实表明:体内存在的结构不完整性和组成不均匀性都对其正常态电阻率、正常-超导转变行为、超导临界温度,以及临界电流等产生重要影响。作者认为:与单相多晶LnBa2Cu3O7-y样品相类似,非理想的单晶体也存在着超导玻璃态效应。
1989, 38 (7): 1379-1383.
doi: 10.7498/aps.38.1379
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本文构造了一种与超拟共形变换相联系的代数,即超Beltrami代数。该代数包含两个超共形(NSR)代数作为子代数。
1989, 38 (7): 1384-1390.
doi: 10.7498/aps.38.1384
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用一个W-Si混合靶源,以直流磁控溅射在SiO2上共溅射一层W-Si薄膜后,进行500—1000℃,15s的真空快速热退火,发现薄层电阻随退火温度出现一反常的极大值。用转靶X射线衍射研究分析了这一反常现象。在直至1100℃高温退火的样品中发现薄膜中存在W5Si3。它对薄层电阻有一定的贡献。
