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Vol. 43, No. 2 (1994)

1994年01月20日
总论
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核物理学
核物理学
原子和分子物理学
原子和分子物理学
唯象论的经典领域
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流体、等离子体和放电
流体、等离子体和放电
凝聚物质:结构、热学和力学性质
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凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
领域
总论
量子Uq(SU(1,1))群,普适R矩阵和Casimir不变量
张耀中
1994, 43 (2): 169-174. doi: 10.7498/aps.43.169
摘要 +
给出了一个直接推导量子Uq(SU(1,1))群普适R矩阵的方法;至少对低秩量子群,此方法是简单有效的。应用所得到的R矩阵,得到了上述量子群的Casimir不变量的明显表达式。作为应用,本文重新得到了上述量子群的二阶Casimir算子。
一个经典完全可积的非共形约束的SL(2,R)Wess-Zumino-Novikov-Witten模型(Ⅰ)
王延申, 杨文力, 杨焕雄, 侯伯宇
1994, 43 (2): 175-184. doi: 10.7498/aps.43.175
摘要 +
通过在SL(2,R)Wess-Zumino-Novikov-Witten(缩写为WZNW)模型中加入破坏共形对称性的约束,获得了一个新的经典完全可积的二维场论体系,它把著名的sinh-Gordon方程作为其特例。这个广义sinh-Gordon体系的特点是完全可积性和可超定域化,并且描写这些特点的r矩阵是杨-Baxter方程(经典的)的一个解,它反对称,依赖于两个谱参数,但通过Loop代数的自同构变换和谱参数的重新定义后,此r矩阵仍是依赖于一个谱参数的三角型r矩阵。
一个经典完全可积的非共形约束的SL(2,R)Wess-Zumino-Novikov-Witten模型(Ⅱ)
王延申, 杨文力, 杨焕雄, 侯伯宇
1994, 43 (2): 185-190. doi: 10.7498/aps.43.185
摘要 +
本文在文献[4]的基础上,讨论了广义sinh-Gordon体系的Dressing对称性及其可定域化的条件。
一维简并双参数四次方映射的符号动力学
谢发根
1994, 43 (2): 191-197. doi: 10.7498/aps.43.191
摘要 +
研究了一维简并双参数四次方映射的符号动力学,构造了揉平面的超稳轨道的骨架图及关节点。根据拓扑熵定义,给出了拓扑熵混沌存在的判据。
核物理学
奇异星的冷却
戴子高, 陆埮
1994, 43 (2): 198-204. doi: 10.7498/aps.43.198
摘要 +
从奇异夸克物质的热力学巨势出发计算了奇异星的组份,得到电子丰度随强相互作用耦合常数或奇异物质的密度增大而减小.利用弱电统一理论,推导了奇异物质的中微子能量损失率。通过研究有薄壳的均匀奇异星和中子垦的冷却过程,得到年轻奇异星的表面温度比同年代的中子星的表面温度低得多,这可以作为区别奇异星与中子星的观测途径。
原子和分子物理学
组态相互作用效应对类钠铜离子自电离速率和分支比的影响
滕华国, 沈百飞, 张文琦, 徐至展
1994, 43 (2): 205-210. doi: 10.7498/aps.43.205
摘要 +
根据组态相互作用理论,研究了组态相互作用对类钠铜离子自电离组态2p53s3l(l=0,1,2)自电离速率和分支比的影响.结果表明,与单组态近似下的计算相比,组态相互作用显著地改变了上述组态各能级的自电离速率而且使2p53s2组态的自电离分支比减少;使2p53s3d和2p53s3p组态的自电离分支比增大;尤其是2p53s3d组态的自电离分支比增加较为明显。
唯象论的经典领域
双光子光声效应理论
林理忠, 唐志列
1994, 43 (2): 211-218. doi: 10.7498/aps.43.211
摘要 +
对双光子光声效应作了系统的理论分析,导出了双光子光声效应的波动方程,并求出双光子光声信号的表达式。
无反转激光:增益与饱和
罗振飞, 徐至展, 林福成
1994, 43 (2): 219-224. doi: 10.7498/aps.43.219
摘要 +
在下能级相干的型三能级系统得到了原子密度矩阵方程的严格解。在强相干情形分析了产生无反转激光的抽运条件,并导出了光强饱和项。
反向导引场自由电子激光器中平衡态电子的类熵量
徐勇, 张世昌, 刘庆想
1994, 43 (2): 225-232. doi: 10.7498/aps.43.225
摘要 +
用非线性数值分析方法,计算反向导引场自由电子激光器中平衡态电子的类熵量。结果表明:其值比正向导引场时更小,对应的平衡态电子束质量,一般都优于正向导引场情况下的电子束质量;而在反谐振点,类熵量剧增,电子束质量严重变坏,从计算得到的结论,与美国麻省理工学院的实验结果定性上一致。
基于新型非线性耦合腔锁模过程的时域理论分析
吕振国, 周佐平, 邬起, 李庆行, 余振新
1994, 43 (2): 233-238. doi: 10.7498/aps.43.233
摘要 +
系统地研究了用带有非线性倍频晶体的附加耦合腔来压窄激光光脉冲的动力学作用过程,报道了该锁模激光系统在瞬态平衡时输出脉冲宽度的具体表达式;另外,通过数值分析计算,给出了该系统锁模激光输出特性优于单腔情形的原因。
流体、等离子体和放电
电离层等离子体交换不稳定性与大气重力波的耦合
M. C. KELLEY, 黄朝松, 李均
1994, 43 (2): 239-247. doi: 10.7498/aps.43.239
摘要 +
研究了赤道电离层等离子体交换不稳定性和大气重力波的耦合性质。如果没有外部扰动的影响,非线性效应使交换不稳定性饱和在一个很小的幅度上。在适当的条件下,重力波能触发交换不稳定性。如果重力波的幅度足够大,所触发的交换不稳定性的扰动幅度能达到50%甚至更大,产生等离子体泡,本文的理论揭示了电离层大尺度扩展F的产生机制,可以解释许多重要的电离层观测现象。
凝聚物质:结构、热学和力学性质
C60单晶生长及特性的研究
何丕模, 徐亚伯, 李海洋, 齐仲甫, 蔡莲珍
1994, 43 (2): 248-252. doi: 10.7498/aps.43.248
摘要 +
用气相生长法生长了最大线度约为1.5mm的C60单晶。单晶X射线衍射分析结果表明,该C60单晶为fcc结构,晶格常数为1.413nm,在251K附近与相变有关的电导率的尖锐跳变表明,C60单晶具有很高的纯度和良好的均匀性。观察到在274K附近激活能的变化,这可能是另一个相变的反映。
─维晶格的一种混合杂质模型
范洪义, 徐之华
1994, 43 (2): 253-257. doi: 10.7498/aps.43.253
摘要 +
研究紧束缚近似下一个单点对角杂质和它向左右两个近邻杂质跃迁(混合杂质)的局域态的形成与性质。在整个讨论中充分利用了矩阵Green函数方法。
Ham理论的验证及其应用
肖治刚, 柯俊, 栾洪发
1994, 43 (2): 258-266. doi: 10.7498/aps.43.258
摘要 +
利用直拉硅单晶中氧化物沉淀的生长,选择两步热处理制度,验证了Ham有关扩散控制沉淀生长理论。并尝试应用Ham理论对氧化物沉淀的形核进行处理。
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
p-HgCdTe反型层中子能带电子的基态能量
刘坤, 褚君浩, 李标, 汤定元
1994, 43 (2): 267-273. doi: 10.7498/aps.43.267
摘要 +
用变分自洽方法求解了p-HgCdTe金属-绝缘体-半导体(MIS)结构N型反型层子能带的基态能量E0及其与表面电子浓度的关系,计算中考虑了窄禁带半导体Hg1-xCdxTe带间相互作用所引起的非抛物带结构、波函数平均效应、共振缺陷态、Zener隧穿、以及电场在屏蔽长度内的衰减等因素,导出了子能带基态能量E0的计算公式并获得了与实验符合较好的结果。
利用扫描隧道谱(STS)对石墨单晶表面局域电子态的研究
李楠, 钱生法, 傅春生, 解思深
1994, 43 (2): 274-281. doi: 10.7498/aps.43.274
摘要 +
利用STS测量并结合扫描隧道显微镜(STM)扫描图象,给出一组沿石墨单晶表面原子分辨的STM图象上某一线段各点处的扫描隧道谱.d(lnI)/d(lnV)~eV由测量谱给出的样品表面EF附近局域态密度分布与由体能带结构计算得到的结果在一定程度上相符合,将各条曲线中EF附近的态密度峰能量对相应的空间位置作图,给出石墨表面EF附近能态密度在测量区域内实空间的变化。通过对表面不等价A,B类原子处局域电子结构的分析并利用简单模型进行计算,给出了与实验
Siδ掺杂AlxGa1-xAs/GaAs异质结二维电子气的SdH振荡研究
彭正夫, 张允强, 韦亚一, 沈金熙, 郑国珍, 郭少令, 汤定元
1994, 43 (2): 282-288. doi: 10.7498/aps.43.282
摘要 +
使用分子束外延方法生长了一种新的基于Siδ掺杂的AlxGa1-xAs/GaAs异质结,测量了0.3-30K低温下异质结处二维电子气的横向磁阻、迁移率和Hall电阻,磁阻的Shubni-kov-de Hass(SdH)振荡非常明显。对振荡曲线作快速Fourier变换分析,获得了二维电子气中每一子能带上占据的电子数密度和有效质量(m0*/m0=0.073,m1*
单频导纳谱法测量锗硅量子阱的能带偏移
陆埮, 蒋家禹, 孙恒慧, 龚大为
1994, 43 (2): 289-296. doi: 10.7498/aps.43.289
摘要 +
提出了用单频导纳谱法测量储硅单量子阶的能带偏移,与常规的多频导纳谱相比,它只需测一个频率的导纳谱就能得到更精确的实验结果。用该方法对Si/Ge0.33Si0.67/Si单量子阱进行测试,得到激活能为Ea=0.20eV。为了计算出能带偏移值,必须能准确确定具有单量子阱结构样品中的费密能级位置,由于在单量子阱结构中费密能级的位置与阱材料、垒材料的掺杂浓度、阱的高度(即能带偏移)及温度等几个因素均有关。为此,本文通过解泊松方程,计算出结合本文样品
晶粒尺寸对薄膜电阻率温度系数的影响
王晓平, 赵特秀, 季航, 梁齐, 董翊
1994, 43 (2): 297-302. doi: 10.7498/aps.43.297
摘要 +
报道了Pd薄膜电阻率温度系数(TCR)随不同薄膜厚度和不同退火温度的变化.实验结果表明:薄膜TCR值远小于体材料的值,且对晶粒尺寸有一定的依赖关系;薄膜晶粒尺寸越大,其TCR值也越大。采用晶粒间界散射的二流体模型对此结果进行了讨论。
掺Ba的Bi-Sr-Cu-O单晶Raman散射研究
毛志强, 张宏光, 田明亮, 喻伟杰, 谭舜, 王瑜, 许存义, 张裕恒
1994, 43 (2): 303-307. doi: 10.7498/aps.43.303
摘要 +
利用Raman散射研究了Bi2Sr2-xBaxCuOy(x=0,0.2,0.4)单晶样品的声子振动性质。实验结果表明,在Bi2Sr2-xBaxCuOy体系的Raman谱中主要出现以下几个频率的特征振动模,即196,300,460,625和660cm-1;而频率为196,300,625,660cm-1<
掺Ba对Bi系2212相超导电性的影响
M. J. G. LEE, J. M. PERZ, 杨碚芳, 阮耀钟, 许存义, 左健, 汪良斌, 张裕恒
1994, 43 (2): 308-314. doi: 10.7498/aps.43.308
摘要 +
研究了掺Ba对Bi2Sr2-xBaxCaCu2Oy(0≤x≤0.15,0.3)单晶和多晶样品超导电性的影响,结果表明,有少量Ba2+离子进入了超导相,且有固溶度极限.对于2212相单晶,c轴参数和Tc均随Ba含量增加而增加;对于慢冷多晶样品,掺Ba可明显提高Tc;然而对于淬大多晶样品,Tc没有明显变化,用掺Ba
掺Ba的2201相的结构与性能的关系
毛志强, 季明荣, 田明亮, 朱警生, 张裕恒
1994, 43 (2): 315-321. doi: 10.7498/aps.43.315
摘要 +
利用电子衍射方法发现Ba的掺杂增强了Bi系2201相的非公度调制,即沿b,c方向的调制周期都明显下降。超导电性研究发现适量Ba的掺杂(x≤0.2)可提高2201相的Tc,但当x≥0.3时,其Tc迅速下降,同时伴随超导相-绝缘相的转变。还利用X射线和紫外光电子能谱系统地分析了此体系的电子结构的特征,在此基础上综合地分析了该体系的非公度调制结构、电子结构与超导电性的相互关系,指出这种Ba2+对Sr2+的同价元素的替代加剧了
铁氧体磁卡效应的研究
都有为, 叶英, 鹿牧, 焦洪震, 金新, 陈婉蓉
1994, 43 (2): 322-326. doi: 10.7498/aps.43.322
摘要 +
对磁铅石型铁氧体,尖晶石型铁氧体,石榴石型铁氧体以及正铁氧体部分样品的磁卡效应进行了实验研究,研究了非磁性离子的代换对居里温度以及磁熵变的影响。
机械合金化Cu1-xSnx系的穆斯堡尔研究
刘方新, 王根苗, 李玉芝, 张道元, 杨元政, 董远达
1994, 43 (2): 327-331. doi: 10.7498/aps.43.327
摘要 +
利用机械合金化方法获得了几种铜-锡合金,特别是熔融法不易获得的η-Cu6Sn5,X射线衍射结果显示球磨使各样品纳米化,并形成包含确定合金相的固溶体,穆斯堡尔谱表明,各固溶体中除包含合金相外,还存在富锡相及富铜相,提出在机械合金化过程中,首先铜和锡纳米化,然后两种原子相互扩散形成包含合金相、富α-锡相和富fcc铜相的固溶体。
石英中Al3+-空穴取向变化弛豫过程中的红外发散响应
刘砚章, 范希庆
1994, 43 (2): 332-339. doi: 10.7498/aps.43.332
摘要 +
基于α石英的晶体结构,将红外发散响应模型和双势阱模型应用到含Al杂质的α石英中Al3+-空穴的取向变化弛豫过程,研究其低温介电损耗特性,结果表明T<6.5K时,介电损耗的主要贡献来自于单声子助隧道弛豫过程;T>10K时,主要贡献来自于热跃迁弛豫过程;而在中间温区,介电损耗是两种过程的迭加,同一弛豫体不同的弛豫过程对应于不同的红外发散响应,还讨论了同一弛豫体引起的超声弛豫损耗。
用卢瑟福背散射和弹性背散射分析高Tc超导薄膜中的元素组份及氧含量
任孟眉, 江伟林, 朱沛然
1994, 43 (2): 340-344. doi: 10.7498/aps.43.340
摘要 +
提出了用能量为1.5-2.5MeV的质子弹性背散射分析(elastic backscattering,缩写为EBS)来测定薄膜中的氧含量,这个方法对于厚度为几十纳米到几个微米的样品,测量精度约5%。采用RBS分析并结合EBS分析,可全面测得薄膜中各元素的含量。