1992年 41卷 第2期
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1992, 41(2): 177-181.
doi: 10.7498/aps.41.177
摘要:
本文利用奇异摄动的理论和方法,研究v2?4μ时KdVB方程的行波解,得到行波解的三阶渐近展开式的显式,同时得到行波解的一般渐近展开式的表达式:u≈u(0)+εu(1)+ε1u(2)+…+εnu(n)+…;并且证明u(j)(j=1,2,…,n,…)都是有界函数。
本文利用奇异摄动的理论和方法,研究v2?4μ时KdVB方程的行波解,得到行波解的三阶渐近展开式的显式,同时得到行波解的一般渐近展开式的表达式:u≈u(0)+εu(1)+ε1u(2)+…+εnu(n)+…;并且证明u(j)(j=1,2,…,n,…)都是有界函数。
1992, 41(2): 182-187.
doi: 10.7498/aps.41.182
摘要:
本文利用Miura方法研究具有三个任意函数的变系数KdV方程和变系数MKdV方程的无穷多守恒律,结果表明:守恒密度仅与一个任意函数有关,并且与常系数KdV(和MKdV)方程的守恒密度有完全类似的结构,另两个任意函数仅包含于相应的流密度中。
本文利用Miura方法研究具有三个任意函数的变系数KdV方程和变系数MKdV方程的无穷多守恒律,结果表明:守恒密度仅与一个任意函数有关,并且与常系数KdV(和MKdV)方程的守恒密度有完全类似的结构,另两个任意函数仅包含于相应的流密度中。
1992, 41(2): 188-192.
doi: 10.7498/aps.41.188
摘要:
本文采用一种传统的方法,对Vaidya-Schwarzschild-de Sitter时空进行研究,在考虑反作用的情况下,讨论表观视界、类时极限面和事件视界的位置,以及修正后的Hawking辐射温度。
本文采用一种传统的方法,对Vaidya-Schwarzschild-de Sitter时空进行研究,在考虑反作用的情况下,讨论表观视界、类时极限面和事件视界的位置,以及修正后的Hawking辐射温度。
1992, 41(2): 193-200.
doi: 10.7498/aps.41.193
摘要:
本文对一个含有源非线性负阻二端网络的RLC串联电路系统进行数值研究,发现该系统在不同的参数范围内分别出现倍周期分岔序列、混沌带的反序列以及阵发混沌现象,将这些结果与实验结果比较符合得很好。
本文对一个含有源非线性负阻二端网络的RLC串联电路系统进行数值研究,发现该系统在不同的参数范围内分别出现倍周期分岔序列、混沌带的反序列以及阵发混沌现象,将这些结果与实验结果比较符合得很好。
1992, 41(2): 201-212.
doi: 10.7498/aps.41.201
摘要:
本文利用Bethe Ansatz方法讨论具有特定的边界条件的Hxxz模型与量子SUq(2)群表示,证明对任意q值,BA态是量子SUq(2)的最高权态,由此生成量子群的不可约表示,对q=eir为单位根,证明Bethe Ansatz方程存在新的解组,利用极限方法,导出|b′>,构造了量子SUq(2)群的不完全可约表示(Ⅰ型)和不可约表示(Ⅱ型)。
本文利用Bethe Ansatz方法讨论具有特定的边界条件的Hxxz模型与量子SUq(2)群表示,证明对任意q值,BA态是量子SUq(2)的最高权态,由此生成量子群的不可约表示,对q=eir为单位根,证明Bethe Ansatz方程存在新的解组,利用极限方法,导出|b′>,构造了量子SUq(2)群的不完全可约表示(Ⅰ型)和不可约表示(Ⅱ型)。
1992, 41(2): 213-220.
doi: 10.7498/aps.41.213
摘要:
本文对无限长氢链中是否存在Peierls不稳定性做ab initio计算的研究,利用高斯型轨道基组和无限长氢链的周期性,在近邻基础上,构造出一组完备的正交归一的基波函数,解析对角化Fock矩阵,做限制的Hartree-Fock的分子轨道自洽场中原子轨道线性组合(LCAO-MO-SCF)计算,总能量与二聚化的关系曲线ERHF(u)表明,金属氢链基态是不稳定的,无限长氢链中会出现明显的二聚化,Peierls不稳定性依然在这一体系中有具体的表现。
本文对无限长氢链中是否存在Peierls不稳定性做ab initio计算的研究,利用高斯型轨道基组和无限长氢链的周期性,在近邻基础上,构造出一组完备的正交归一的基波函数,解析对角化Fock矩阵,做限制的Hartree-Fock的分子轨道自洽场中原子轨道线性组合(LCAO-MO-SCF)计算,总能量与二聚化的关系曲线ERHF(u)表明,金属氢链基态是不稳定的,无限长氢链中会出现明显的二聚化,Peierls不稳定性依然在这一体系中有具体的表现。
1992, 41(2): 228-232.
doi: 10.7498/aps.41.228
摘要:
利用电子迴旋共振(ECR)多电荷离子源产生的高电荷态离子束和LHT-30VUV真空紫外单色仪,对N6+与He碰撞激发过程进行研究,观察到三种碰撞激发过程:(1)单电子俘获;(2)双电子俘获;(3)入射离子直接激发过程。
利用电子迴旋共振(ECR)多电荷离子源产生的高电荷态离子束和LHT-30VUV真空紫外单色仪,对N6+与He碰撞激发过程进行研究,观察到三种碰撞激发过程:(1)单电子俘获;(2)双电子俘获;(3)入射离子直接激发过程。
1992, 41(2): 221-227.
doi: 10.7498/aps.41.221
摘要:
本文用相关基函数理论研究电子关联对氢链中Peierls不稳定性的影响,结果发现,电子关联使得氢链中的二聚化程度从0.37au减小为0.32au,这说明电子关联只是减弱但不会完全破坏氢链中的Peierls不稳定性,本理论表明,在电子相互作用下链状体系中的Peierls机理依然成立。
本文用相关基函数理论研究电子关联对氢链中Peierls不稳定性的影响,结果发现,电子关联使得氢链中的二聚化程度从0.37au减小为0.32au,这说明电子关联只是减弱但不会完全破坏氢链中的Peierls不稳定性,本理论表明,在电子相互作用下链状体系中的Peierls机理依然成立。
1992, 41(2): 302-305.
doi: 10.7498/aps.41.302
摘要:
通过红外透射谱和X射线衍射谱研究a-si:H/a-Ge:H超晶格的热稳定性,发现当周期厚度较小时,超晶格的晶化温度比体膜a-Ge:H的大,对实验结果作初步讨论。
通过红外透射谱和X射线衍射谱研究a-si:H/a-Ge:H超晶格的热稳定性,发现当周期厚度较小时,超晶格的晶化温度比体膜a-Ge:H的大,对实验结果作初步讨论。
1992, 41(2): 306-310.
doi: 10.7498/aps.41.306
摘要:
用X射线衍射动力学理论,模拟计算InP衬底上InGaAs/AllnAs超晶格和InGaAs单层膜的X射线双晶摇摆曲线,计算结果表明:薄膜界面粗糙对单层膜的衍射峰和超晶格的零级衍射峰影响较小,但却明显影响单层膜衍射干涉条纹和超晶格的±1级卫星峰,随着平均界面粗糙度的增大,单层膜衍射干涉条纹强度减弱并趋于消失;超晶格的±1级卫星峰变弱并逐渐展宽,理论计算的模拟双晶摇摆曲线与超晶格实验曲线比较表明:高质量匹配In0.53Ga0.47As(85?)/Al0.4
用X射线衍射动力学理论,模拟计算InP衬底上InGaAs/AllnAs超晶格和InGaAs单层膜的X射线双晶摇摆曲线,计算结果表明:薄膜界面粗糙对单层膜的衍射峰和超晶格的零级衍射峰影响较小,但却明显影响单层膜衍射干涉条纹和超晶格的±1级卫星峰,随着平均界面粗糙度的增大,单层膜衍射干涉条纹强度减弱并趋于消失;超晶格的±1级卫星峰变弱并逐渐展宽,理论计算的模拟双晶摇摆曲线与超晶格实验曲线比较表明:高质量匹配In0.53Ga0.47As(85?)/Al0.4
1992, 41(2): 311-316.
doi: 10.7498/aps.41.311
摘要:
对熔融织构法制备的Y-Ba-Cu-O(123)块状样品作交流磁化研究,并与一般烧结样品进行比较,结果发现,对应一般烧结样品的晶粒和晶界,在交流磁化率虚部上有两个峰,而对织构(即定向排列生长)较好的样品,其交流磁化率虚部上仅有一个对应晶粒峰,对于有一定织构但织构不理想的样品,其交流磁化率虚部上也有两个峰,不过它们对立于不同方向生长的晶粒,未观察到频率效应,表明损耗与磁通运动有关。
对熔融织构法制备的Y-Ba-Cu-O(123)块状样品作交流磁化研究,并与一般烧结样品进行比较,结果发现,对应一般烧结样品的晶粒和晶界,在交流磁化率虚部上有两个峰,而对织构(即定向排列生长)较好的样品,其交流磁化率虚部上仅有一个对应晶粒峰,对于有一定织构但织构不理想的样品,其交流磁化率虚部上也有两个峰,不过它们对立于不同方向生长的晶粒,未观察到频率效应,表明损耗与磁通运动有关。
1992, 41(2): 317-322.
doi: 10.7498/aps.41.317
摘要:
用测磁滞迴线的方法测量熔融织构YBa2Cu3O7-y超导样品的临界电流密度,计算临界电流密度时考虑了退磁场的影响并采用适合于各向异性有限样品的模型,改进了Gyorgy等人最近提出的方法,在不同取向的磁场中测同一样品的磁化曲线,得到三种不同的临界电流密度。
用测磁滞迴线的方法测量熔融织构YBa2Cu3O7-y超导样品的临界电流密度,计算临界电流密度时考虑了退磁场的影响并采用适合于各向异性有限样品的模型,改进了Gyorgy等人最近提出的方法,在不同取向的磁场中测同一样品的磁化曲线,得到三种不同的临界电流密度。
1992, 41(2): 323-328.
doi: 10.7498/aps.41.323
摘要:
本文利用Zou和Anderson的spinon-holon有效哈密顿量,在较大的库仑排斥U下,通过研究玻色子holon的涨落效应,考虑了平方格点上铁磁性问题。
本文利用Zou和Anderson的spinon-holon有效哈密顿量,在较大的库仑排斥U下,通过研究玻色子holon的涨落效应,考虑了平方格点上铁磁性问题。
1992, 41(2): 329-332.
doi: 10.7498/aps.41.329
摘要:
用电子自旋共振(ESR)方法研究发光基质材料BaCl2的X射线和γ射线辐照损伤及其恢复的情况,发现样品由X射线引起的辐照损伤,在日光下仅两分钟便能完全恢复;而γ射线引起的辐照损伤则很难完全恢复。
用电子自旋共振(ESR)方法研究发光基质材料BaCl2的X射线和γ射线辐照损伤及其恢复的情况,发现样品由X射线引起的辐照损伤,在日光下仅两分钟便能完全恢复;而γ射线引起的辐照损伤则很难完全恢复。
1992, 41(2): 333-341.
doi: 10.7498/aps.41.333
摘要:
根据一级捕获动力学方程,导出高电场下固体电介质中新陷阱产生的动力学理论,从该理论出发,以陷阱密度增加到一定程度作为介质发生电击穿的临界条件,获得高电场下电介质的寿命与电场的指数成正比,这一理论结果与广泛应用的电老化经验公式一致,也与实验结果相符。
根据一级捕获动力学方程,导出高电场下固体电介质中新陷阱产生的动力学理论,从该理论出发,以陷阱密度增加到一定程度作为介质发生电击穿的临界条件,获得高电场下电介质的寿命与电场的指数成正比,这一理论结果与广泛应用的电老化经验公式一致,也与实验结果相符。
1992, 41(2): 342-346.
doi: 10.7498/aps.41.342
摘要:
两束波长为632.8nm的He-Ne激光在掺Mn的钾钠铌酸锶钡(KNSBN)晶体中对撞,诱导产生一个光学二极管,当两束光同时存在且入射功率分别为0.876mW和0.0914mW时,光学二极管两个方向上的等效透射率之比达202,并有继续增大的趋势。
两束波长为632.8nm的He-Ne激光在掺Mn的钾钠铌酸锶钡(KNSBN)晶体中对撞,诱导产生一个光学二极管,当两束光同时存在且入射功率分别为0.876mW和0.0914mW时,光学二极管两个方向上的等效透射率之比达202,并有继续增大的趋势。
1992, 41(2): 238-243.
doi: 10.7498/aps.41.238
摘要:
本文推导出双光束干涉情况下产生的动态散斑场的时间空间相关函数,并且利用光子相关技术进行实验验证,得到与理论完全符合的结果。
本文推导出双光束干涉情况下产生的动态散斑场的时间空间相关函数,并且利用光子相关技术进行实验验证,得到与理论完全符合的结果。
1992, 41(2): 244-252.
doi: 10.7498/aps.41.244
摘要:
本文通过波包慢变假定,准单色近似和径向模式平均法,建立了光纤孤子反射和透射问题的支配方程和边界条件,借助光束传播法,数值模拟孤子在光纤单界面上的反射和透射过程,文中还给出数值实例。
本文通过波包慢变假定,准单色近似和径向模式平均法,建立了光纤孤子反射和透射问题的支配方程和边界条件,借助光束传播法,数值模拟孤子在光纤单界面上的反射和透射过程,文中还给出数值实例。
1992, 41(2): 253-259.
doi: 10.7498/aps.41.253
摘要:
应用简化模型,本文的研究表明:由于电子质量的相对论性变化,由线性模式转换产生的静电等离子体波在临界面附近呈现出滞后效应,此效应将增大斜入射p偏振的光在等离子体中的吸收,这是通过增大等离子体波大振幅的区域引起的,当光强超过滞后效应的阈值光强时,吸收率将大大超过线性结果。
应用简化模型,本文的研究表明:由于电子质量的相对论性变化,由线性模式转换产生的静电等离子体波在临界面附近呈现出滞后效应,此效应将增大斜入射p偏振的光在等离子体中的吸收,这是通过增大等离子体波大振幅的区域引起的,当光强超过滞后效应的阈值光强时,吸收率将大大超过线性结果。
1992, 41(2): 260-266.
doi: 10.7498/aps.41.260
摘要:
系统研究波波相互作用形成反射光栅情况下的等离子体简并与近简并四波混频理论,导出普适四波非线性耦合方程组,并在任意复耦合系数情况下求出其精确解析解。
系统研究波波相互作用形成反射光栅情况下的等离子体简并与近简并四波混频理论,导出普适四波非线性耦合方程组,并在任意复耦合系数情况下求出其精确解析解。
1992, 41(2): 267-271.
doi: 10.7498/aps.41.267
摘要:
本文研究均匀弯曲硅单晶的X射线衍射,实验得到的积分衍射强度随应变增强单调上升,与理论结果一致,在截面形貌上,Pendell?sung条纹的可见度随着应变的增强而降低,这反映了晶体内波场间相对强度差变大和波场轨迹的变化。
本文研究均匀弯曲硅单晶的X射线衍射,实验得到的积分衍射强度随应变增强单调上升,与理论结果一致,在截面形貌上,Pendell?sung条纹的可见度随着应变的增强而降低,这反映了晶体内波场间相对强度差变大和波场轨迹的变化。
1992, 41(2): 272-275.
doi: 10.7498/aps.41.272
摘要:
本文叙述新型无机非线性单晶三硼酸锂(LBO)中位错的X射线衍射形貌观测和鉴定结果,探讨了位错形成的结构影响因素。
本文叙述新型无机非线性单晶三硼酸锂(LBO)中位错的X射线衍射形貌观测和鉴定结果,探讨了位错形成的结构影响因素。
1992, 41(2): 276-281.
doi: 10.7498/aps.41.276
摘要:
用能量(112,89keV)和剂量(1×1017,5×1016个/cm2)配比不同的H+束对双离子束溅射淀积的类金刚石碳(DLC)膜进行辐照,用Raman光谱、红外透射光谱和膜层电阻率测量、粘着力测定等多种手段对辐照前后的DLC膜进行,表征和分析,结果表明,高能H+束辐照效应跟高能重离子辐照效应是不同的,H+束辐照使膜层sp3C—H键相对减少,sp
用能量(112,89keV)和剂量(1×1017,5×1016个/cm2)配比不同的H+束对双离子束溅射淀积的类金刚石碳(DLC)膜进行辐照,用Raman光谱、红外透射光谱和膜层电阻率测量、粘着力测定等多种手段对辐照前后的DLC膜进行,表征和分析,结果表明,高能H+束辐照效应跟高能重离子辐照效应是不同的,H+束辐照使膜层sp3C—H键相对减少,sp
1992, 41(2): 282-287.
doi: 10.7498/aps.41.282
摘要:
本文讨论n-GaAs表面采用H2O2-H2SO4系光加速腐蚀形成衍射光栅的方法,以及Ag/n-GaAs肖脱基势垒二极管表面等离振子电磁耦子发光的测定。
本文讨论n-GaAs表面采用H2O2-H2SO4系光加速腐蚀形成衍射光栅的方法,以及Ag/n-GaAs肖脱基势垒二极管表面等离振子电磁耦子发光的测定。
1992, 41(2): 288-294.
doi: 10.7498/aps.41.288
摘要:
用22Na的e+研究2%PdO/Al2O3中PdO空间结构与热处理的关系,利用e+湮没参数计算PdO颗粒度,说明自由e+固体表面态湮没技术可以应用于催化剂的研究。
用22Na的e+研究2%PdO/Al2O3中PdO空间结构与热处理的关系,利用e+湮没参数计算PdO颗粒度,说明自由e+固体表面态湮没技术可以应用于催化剂的研究。
1992, 41(2): 295-301.
doi: 10.7498/aps.41.295
摘要:
用原子交叠和电子离域-分子轨道(ASED-MO)方法研究N2在Cr(110)面的化学吸附过程。结果表明,N2平行吸附于Cr(110)面的四度空位,N-N轴平行于[110]方向,与传统的σ施予和π弱反键作用不同,N2在Cr(110)面平行吸附时,不仅3σg而且1πμ分别向衬底施予0.97和0.54个电子,同时1πg的反向键合增加到1.83个电子,这导致平行吸附比垂直吸附具有更低
用原子交叠和电子离域-分子轨道(ASED-MO)方法研究N2在Cr(110)面的化学吸附过程。结果表明,N2平行吸附于Cr(110)面的四度空位,N-N轴平行于[110]方向,与传统的σ施予和π弱反键作用不同,N2在Cr(110)面平行吸附时,不仅3σg而且1πμ分别向衬底施予0.97和0.54个电子,同时1πg的反向键合增加到1.83个电子,这导致平行吸附比垂直吸附具有更低
1992, 41(2): 347-352.
doi: 10.7498/aps.41.347
摘要:
本文讨论聚苯胺自支撑膜的电子自旋共振(ESR)和磁学性能与成膜、拉伸处理以及质子掺杂等因素的影响,实验结果表明,聚苯胺膜的磁学性能与它的粉末样品相似,其磁化率表现为与温度无关的泡利型顺磁性和符合居里定律的顺磁性之和,质子掺杂后,其磁学性能也随绝缘体-半导体-金属态相变而变化,并且质子掺杂后自旋密度的增加符合“质子化导致自旋不成对”的机理,拉伸后的聚苯胺的泡利自旋和居里自旋均比其粉末和薄膜样品明显提高,这可能是由于拉伸取向增强了聚苯胺链上醌环上氮原子上弧对电子间的相互作用所致。
本文讨论聚苯胺自支撑膜的电子自旋共振(ESR)和磁学性能与成膜、拉伸处理以及质子掺杂等因素的影响,实验结果表明,聚苯胺膜的磁学性能与它的粉末样品相似,其磁化率表现为与温度无关的泡利型顺磁性和符合居里定律的顺磁性之和,质子掺杂后,其磁学性能也随绝缘体-半导体-金属态相变而变化,并且质子掺杂后自旋密度的增加符合“质子化导致自旋不成对”的机理,拉伸后的聚苯胺的泡利自旋和居里自旋均比其粉末和薄膜样品明显提高,这可能是由于拉伸取向增强了聚苯胺链上醌环上氮原子上弧对电子间的相互作用所致。
