1997年 46卷 第11期
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1997, 46(11): 2080-2094.
doi: 10.7498/aps.46.2080
摘要:
基于量子不变量构造定理，简化地导出和扩充了Lewis和Riesenfeld的结果．指出所谓的Lewis-Riesenfeld相位一般没有物理意义；为了使其有物理意义，不变量必须取特殊形式．文中给出了这种形式．以磁场中的自旋系统为例，作了具体讨论．
基于量子不变量构造定理，简化地导出和扩充了Lewis和Riesenfeld的结果．指出所谓的Lewis-Riesenfeld相位一般没有物理意义；为了使其有物理意义，不变量必须取特殊形式．文中给出了这种形式．以磁场中的自旋系统为例，作了具体讨论．
1997, 46(11): 2095-2103.
doi: 10.7498/aps.46.2095
摘要:
从观察的角度去了解原有系统的特性，不同程度上会受到观测手段的限制．针对一个观测窗口获得的多元时间序列，利用一种能够更好地体现多元时间序列复杂的时空结构的多元奇异系统分析方法，研究多元序列的相关维数和最大李雅普诺夫指数的变化．利用多层感知器神经网络模型分析其可预测性．研究发现，随着观测窗中多元时间序列的变量数目的增加，反映出的复杂性有所提高，稳定性会产生波动，且相应的可预测性也会产生一些差异．
从观察的角度去了解原有系统的特性，不同程度上会受到观测手段的限制．针对一个观测窗口获得的多元时间序列，利用一种能够更好地体现多元时间序列复杂的时空结构的多元奇异系统分析方法，研究多元序列的相关维数和最大李雅普诺夫指数的变化．利用多层感知器神经网络模型分析其可预测性．研究发现，随着观测窗中多元时间序列的变量数目的增加，反映出的复杂性有所提高，稳定性会产生波动，且相应的可预测性也会产生一些差异．
1997, 46(11): 2104-2110.
doi: 10.7498/aps.46.2104
摘要:
用B样条方法计算了氦原子基态的关联能，与Slater基作了比较，分析了B样条方法用于电子关联计算的可行性及优缺点．结果表明B样条方法可以有效地用于电子关联的计算．
用B样条方法计算了氦原子基态的关联能，与Slater基作了比较，分析了B样条方法用于电子关联计算的可行性及优缺点．结果表明B样条方法可以有效地用于电子关联的计算．
1997, 46(11): 2111-2116.
doi: 10.7498/aps.46.2111
摘要:
在空心阴极放电激光诱导荧光实验中，当加强外磁场于观察方向，采用“魔角”激发，对氩原子ArI5p［3/2］2能态，外磁场强度越强，则碰撞消激发速率越快，而碰撞消取向速率反而越慢，其总的效果是导致弛豫曲线的衰减速率随磁场强度增强而变缓．ArI5p［3/2］2的自然能级寿命在不加外磁场情况下为120±5ns．
在空心阴极放电激光诱导荧光实验中，当加强外磁场于观察方向，采用“魔角”激发，对氩原子ArI5p［3/2］2能态，外磁场强度越强，则碰撞消激发速率越快，而碰撞消取向速率反而越慢，其总的效果是导致弛豫曲线的衰减速率随磁场强度增强而变缓．ArI5p［3/2］2的自然能级寿命在不加外磁场情况下为120±5ns．
1997, 46(11): 2117-2123.
doi: 10.7498/aps.46.2117
摘要:
射频阱中离子云与检测场的相互作用由Dufing方程描述．在小阻尼条件下，得到嵌于混沌吸引子中的不稳定周期解及其稳定性条件．分析表明，调节直流扫描电压等参数去拟合该条件，可以控制混沌运动中的不稳定性．有关实验定性支持这一结论．
射频阱中离子云与检测场的相互作用由Dufing方程描述．在小阻尼条件下，得到嵌于混沌吸引子中的不稳定周期解及其稳定性条件．分析表明，调节直流扫描电压等参数去拟合该条件，可以控制混沌运动中的不稳定性．有关实验定性支持这一结论．
1997, 46(11): 2124-2129.
doi: 10.7498/aps.46.2124
摘要:
在双原子分子核运动的波动方程中，计入分子的振转相互作用项，得出的波函数除与振动量子数有关外，还与转动量子数有关．用该波函数编程序计算了BF分子A1Π→X1Σ+带系和b3Σ+→a3Π带系的Franck-Condon因子．计算中转动量子数的取值由J=0取至J=200，结果适用于低温、高温和强激波条件．
在双原子分子核运动的波动方程中，计入分子的振转相互作用项，得出的波函数除与振动量子数有关外，还与转动量子数有关．用该波函数编程序计算了BF分子A1Π→X1Σ+带系和b3Σ+→a3Π带系的Franck-Condon因子．计算中转动量子数的取值由J=0取至J=200，结果适用于低温、高温和强激波条件．
1997, 46(11): 2130-2137.
doi: 10.7498/aps.46.2130
摘要:
用近红外激光激发研究了卤酸根离子在银胶中的表面增强Raman散射（SERS）．实验结果表明，ClO－3和BrO－3离子在银胶颗粒表面只有单个的SERS带，分别位于226和158cm-1处，而IO－3离子却在334和750cm－1处出现两个SERS峰．这些结果表明ClO－3和BrO
用近红外激光激发研究了卤酸根离子在银胶中的表面增强Raman散射（SERS）．实验结果表明，ClO－3和BrO－3离子在银胶颗粒表面只有单个的SERS带，分别位于226和158cm-1处，而IO－3离子却在334和750cm－1处出现两个SERS峰．这些结果表明ClO－3和BrO
1997, 46(11): 2138-2145.
doi: 10.7498/aps.46.2138
摘要:
运用量子亏损理论，并与参考系变换及本征通道R-矩阵法相结合，建立了描述氢分子里德伯态的预解离过程的理论方法．通过对氢分子的3pπD1πu+和4pσ B″1Σu+电子态的预解离过程的研究，阐明其解离的机理，并给出预解离的线宽．
运用量子亏损理论，并与参考系变换及本征通道R-矩阵法相结合，建立了描述氢分子里德伯态的预解离过程的理论方法．通过对氢分子的3pπD1πu+和4pσ B″1Σu+电子态的预解离过程的研究，阐明其解离的机理，并给出预解离的线宽．
1997, 46(11): 2146-2153.
doi: 10.7498/aps.46.2146
摘要:
在非稳态、高温高密度的等离子体环境下，双电子复合应作为完全独立的共振俘获和辐射衰变两个过程来处理．建议一种半经验公式计算共振俘获速率系数的方法，并对该公式进行了初步评估．给出了将该公式应用于平均原子模型求解速率方程的方法．
在非稳态、高温高密度的等离子体环境下，双电子复合应作为完全独立的共振俘获和辐射衰变两个过程来处理．建议一种半经验公式计算共振俘获速率系数的方法，并对该公式进行了初步评估．给出了将该公式应用于平均原子模型求解速率方程的方法．
1997, 46(11): 2154-2159.
doi: 10.7498/aps.46.2154
摘要:
给出了非辐射场积分式的逐渐逼近表达式，阐明了非辐射场与辐射场一样受到光学信息传递系统的制约，同时阐明了图像畸变的原因．还给出了该系统信息传输自由度的计算公式，阐明了分辨率与光信息传输自由度的关系．
给出了非辐射场积分式的逐渐逼近表达式，阐明了非辐射场与辐射场一样受到光学信息传递系统的制约，同时阐明了图像畸变的原因．还给出了该系统信息传输自由度的计算公式，阐明了分辨率与光信息传输自由度的关系．
1997, 46(11): 2160-2165.
doi: 10.7498/aps.46.2160
摘要:
在相干态表象中精确求解了无旋波近似的Jaynes-Cummings模型，并导出了相应的限制性条件．所求得的解析解与用微扰论求得的近似解比较，当微扰级数取无穷时所得结果一致．本文的方法能方便地推广到三能级系统的讨论．
在相干态表象中精确求解了无旋波近似的Jaynes-Cummings模型，并导出了相应的限制性条件．所求得的解析解与用微扰论求得的近似解比较，当微扰级数取无穷时所得结果一致．本文的方法能方便地推广到三能级系统的讨论．
1997, 46(11): 2166-2173.
doi: 10.7498/aps.46.2166
摘要:
研究一类N维广义非线性Schr?dinger方程的孤子解及其性质，研究非线性参数α变化（α→0及α→∞）时孤子性态的变化规律，同时研究该问题的数值解法，得到了该方程的P-R差分格式的收敛性和稳定性条件．
研究一类N维广义非线性Schr?dinger方程的孤子解及其性质，研究非线性参数α变化（α→0及α→∞）时孤子性态的变化规律，同时研究该问题的数值解法，得到了该方程的P-R差分格式的收敛性和稳定性条件．
1997, 46(11): 2174-2179.
doi: 10.7498/aps.46.2174
摘要:
采用理论数值分析的方法，研究了较大谱宽的飞秒激光脉冲在较大的非线性系数和非线性色散的有机高聚物中，由于非线性色散而导致其啁啾特性的变化，并进而从脉冲的啁啾特性上，解释了光谱的有效展宽，以及脉冲的自频移等脉冲在光谱上的变化．
采用理论数值分析的方法，研究了较大谱宽的飞秒激光脉冲在较大的非线性系数和非线性色散的有机高聚物中，由于非线性色散而导致其啁啾特性的变化，并进而从脉冲的啁啾特性上，解释了光谱的有效展宽，以及脉冲的自频移等脉冲在光谱上的变化．
1997, 46(11): 2180-2187.
doi: 10.7498/aps.46.2180
摘要:
对Super-Reltron的微波产生机理给出了物理解释，并且对电子束在调制腔中的群聚和在辐射腔中的辐射给出了公式化结果．
对Super-Reltron的微波产生机理给出了物理解释，并且对电子束在调制腔中的群聚和在辐射腔中的辐射给出了公式化结果．
1997, 46(11): 2188-2197.
doi: 10.7498/aps.46.2188
摘要:
研究了原子吸收限附近对称劳厄和布拉格情况下完整晶体内的能流方向．发现在对称劳厄情况下，只有当原子散射因子的虚部对衍射的贡献可以与实部的贡献相比较时，晶体内与色散面上某一结点相对应的能流会偏离色散面的实部的法向；而在对称布拉格情况下，即使在原子散射因子的虚部对衍射的贡献可以忽略时，在所谓的“全反射”区内也会偏离．当衍射仅由原子的虚部引起时，这种偏离在对称劳厄情况下最大，而在对称布拉格情况下最小．
研究了原子吸收限附近对称劳厄和布拉格情况下完整晶体内的能流方向．发现在对称劳厄情况下，只有当原子散射因子的虚部对衍射的贡献可以与实部的贡献相比较时，晶体内与色散面上某一结点相对应的能流会偏离色散面的实部的法向；而在对称布拉格情况下，即使在原子散射因子的虚部对衍射的贡献可以忽略时，在所谓的“全反射”区内也会偏离．当衍射仅由原子的虚部引起时，这种偏离在对称劳厄情况下最大，而在对称布拉格情况下最小．
1997, 46(11): 2198-2205.
doi: 10.7498/aps.46.2198
摘要:
利用修正的嵌入原子方法计算了Al低指数面（100），（110），（111）和高指数面（210），（211），（310），（311），（331）的多层弛豫，所得到的结果都与实验及第一原理计算结果符合得很好．尤其是这种半经验方法给出了与实验结果相符的Al（100）和（111）表面最外层向外膨胀的理论结果，并提出这种膨胀主要是由于最外层与第二层的键中s态电子增加而p态电子减少引起的．
利用修正的嵌入原子方法计算了Al低指数面（100），（110），（111）和高指数面（210），（211），（310），（311），（331）的多层弛豫，所得到的结果都与实验及第一原理计算结果符合得很好．尤其是这种半经验方法给出了与实验结果相符的Al（100）和（111）表面最外层向外膨胀的理论结果，并提出这种膨胀主要是由于最外层与第二层的键中s态电子增加而p态电子减少引起的．
1997, 46(11): 2206-2214.
doi: 10.7498/aps.46.2206
摘要:
以CH4和H2为源反应气体，利用电子助进热丝化学汽相沉积（CVD）技术，在Si（100）晶面衬底上成功地得到了织构生长的金刚石薄膜．用扫描电子显微镜、Raman光谱、X射线衍射等多种技术对薄膜的形貌、成分、晶态等特性进行了分析，得到了在热丝CVD实验条件下织构生长金刚石薄膜的最佳工艺条件．
以CH4和H2为源反应气体，利用电子助进热丝化学汽相沉积（CVD）技术，在Si（100）晶面衬底上成功地得到了织构生长的金刚石薄膜．用扫描电子显微镜、Raman光谱、X射线衍射等多种技术对薄膜的形貌、成分、晶态等特性进行了分析，得到了在热丝CVD实验条件下织构生长金刚石薄膜的最佳工艺条件．
1997, 46(11): 2215-2222.
doi: 10.7498/aps.46.2215
摘要:
采用Monte Carlo方法模拟了3C-SiC材料中电子的静态输运特性．在细致分析材料的能带结构和主要散射机构，建立了适于统计模拟的物理模型的基础上，采用自洽的SPMC方法进行模拟，得出了电子迁移率随温度、电子平均漂移速度随电场的变化规律，及电子的能量和动量弛豫时间随温度和电场的变化规律．所得结果与实验符合较好．
采用Monte Carlo方法模拟了3C-SiC材料中电子的静态输运特性．在细致分析材料的能带结构和主要散射机构，建立了适于统计模拟的物理模型的基础上，采用自洽的SPMC方法进行模拟，得出了电子迁移率随温度、电子平均漂移速度随电场的变化规律，及电子的能量和动量弛豫时间随温度和电场的变化规律．所得结果与实验符合较好．
1997, 46(11): 2223-2232.
doi: 10.7498/aps.46.2223
摘要:
介绍了瞬时热电效应法，一种新的实验手段．它基于脉冲激光照射引起的载流子的扩散现象．观测到的瞬时热电电压由光激发导致的传导载流子的扩散形成，并且复合着几个特征的衰减过程指数地衰减．分析这些衰减过程，可以获得载流子的迁移率、有效质量、费密面的变化等重要信息．对瞬时热电效应法的原理以及主要分析方法作了较详细的介绍．
介绍了瞬时热电效应法，一种新的实验手段．它基于脉冲激光照射引起的载流子的扩散现象．观测到的瞬时热电电压由光激发导致的传导载流子的扩散形成，并且复合着几个特征的衰减过程指数地衰减．分析这些衰减过程，可以获得载流子的迁移率、有效质量、费密面的变化等重要信息．对瞬时热电效应法的原理以及主要分析方法作了较详细的介绍．
1997, 46(11): 2233-2240.
doi: 10.7498/aps.46.2233
摘要:
研究了直流偏置电压下介观约瑟夫森结在SU（1，1）双模相干态光场作用下超流的动力学行为、流压台阶和直流分量等特性．研究发现超流能够呈现明显的崩塌与复苏现象，对于经典电磁场和非耦合的双模相干态光场作用下的情况，超流不出现此现象，且其流压台阶结构与后两种情况也不相同．
研究了直流偏置电压下介观约瑟夫森结在SU（1，1）双模相干态光场作用下超流的动力学行为、流压台阶和直流分量等特性．研究发现超流能够呈现明显的崩塌与复苏现象，对于经典电磁场和非耦合的双模相干态光场作用下的情况，超流不出现此现象，且其流压台阶结构与后两种情况也不相同．
1997, 46(11): 2241-2249.
doi: 10.7498/aps.46.2241
摘要:
用电弧熔炼的方法制备了Gd2（Fe1-xCox）15Ga2（0≤x≤1.0）和Gd2（Fe0.8Co0.2）17-yGay（0≤y≤8）化合物，通过Ｘ射线衍射和磁性测量手段研究了它们的结构和磁性．实验结果表明它们都是2∶17型结构的单相化合物．Gd2（Fe1
用电弧熔炼的方法制备了Gd2（Fe1-xCox）15Ga2（0≤x≤1.0）和Gd2（Fe0.8Co0.2）17-yGay（0≤y≤8）化合物，通过Ｘ射线衍射和磁性测量手段研究了它们的结构和磁性．实验结果表明它们都是2∶17型结构的单相化合物．Gd2（Fe1
1997, 46(11): 2250-2257.
doi: 10.7498/aps.46.2250
摘要:
用机械合金化方法制备了不同成分的Fe-Si合金．其晶粒具有α-Fe结构，粒径为十几到几十纳米，且晶格存在严重畸变．它们的饱和磁化强度σs与Si含量近似成线性关系，只是稍小于相应的单晶和多晶Fe-Si合金，而其矫顽力Hc和有效各向异性常数Keff却远大于相应的单晶和多晶Fe-Si合金．它们的磁谱除Fe75Si25外都是弛豫型的，其磁导率的大小与相应的铁氧体复合材料差不多．在它们的磁化过程中，畴壁位移
用机械合金化方法制备了不同成分的Fe-Si合金．其晶粒具有α-Fe结构，粒径为十几到几十纳米，且晶格存在严重畸变．它们的饱和磁化强度σs与Si含量近似成线性关系，只是稍小于相应的单晶和多晶Fe-Si合金，而其矫顽力Hc和有效各向异性常数Keff却远大于相应的单晶和多晶Fe-Si合金．它们的磁谱除Fe75Si25外都是弛豫型的，其磁导率的大小与相应的铁氧体复合材料差不多．在它们的磁化过程中，畴壁位移
1997, 46(11): 2258-2266.
doi: 10.7498/aps.46.2258
摘要:
考虑了短波长软X射线多层膜的设计问题，比较了一、二、三级布喇格衍射峰设计的反射率结果，分析了反射率与周期厚度及金属层在周期中的比率的关系．本文认为，在存在不连续金属膜层的情况下，用布喇格衍射峰的二级次设计，有助于获得实测的反射率．给出了利用磁控溅射方法沉积的Mo/Si多层膜在4.47nm处同步辐射测量，在60°入射角下获得8.5%实测反射率的结果．
考虑了短波长软X射线多层膜的设计问题，比较了一、二、三级布喇格衍射峰设计的反射率结果，分析了反射率与周期厚度及金属层在周期中的比率的关系．本文认为，在存在不连续金属膜层的情况下，用布喇格衍射峰的二级次设计，有助于获得实测的反射率．给出了利用磁控溅射方法沉积的Mo/Si多层膜在4.47nm处同步辐射测量，在60°入射角下获得8.5%实测反射率的结果．
1997, 46(11): 2267-2273.
doi: 10.7498/aps.46.2267
摘要:
测量了NaY及USY沸石的正电子寿命谱．得到NaY沸石有四个寿命分量：两个短寿命分量和两个长寿命分量．两个长寿命分量中，τ3，τ4分别是o-Ps在β笼和超笼中的湮没．USY沸石有五个寿命分量：两个短寿命分量和三个长寿命分量，三个长寿命分量中，τ3为o-Ps在笼中的湮没，τ4，τ5分别为o-Ps在“二次微孔”和“二次中孔”中的湮没．与NaY沸石相比，在真空中，USY的τ4增加到
测量了NaY及USY沸石的正电子寿命谱．得到NaY沸石有四个寿命分量：两个短寿命分量和两个长寿命分量．两个长寿命分量中，τ3，τ4分别是o-Ps在β笼和超笼中的湮没．USY沸石有五个寿命分量：两个短寿命分量和三个长寿命分量，三个长寿命分量中，τ3为o-Ps在笼中的湮没，τ4，τ5分别为o-Ps在“二次微孔”和“二次中孔”中的湮没．与NaY沸石相比，在真空中，USY的τ4增加到
1997, 46(11): 2274-2279.
doi: 10.7498/aps.46.2274
摘要:
采用metal vapor vacuum arc离子源的离子束合成方法，对单晶Si衬底注入C＋离子，获得不同剂量下的SiC埋层．C＋离子束的引出电压为50kV，注入的剂量为3.0×1017—1.6×1018cm-2．通过红外吸收谱的测试和分析，表明SiC埋层的结晶程度依赖于剂量的大小．研究证实，可以在较低的平均衬底温度下（低于400℃）得到含立方相结构的SiC埋层．
采用metal vapor vacuum arc离子源的离子束合成方法，对单晶Si衬底注入C＋离子，获得不同剂量下的SiC埋层．C＋离子束的引出电压为50kV，注入的剂量为3.0×1017—1.6×1018cm-2．通过红外吸收谱的测试和分析，表明SiC埋层的结晶程度依赖于剂量的大小．研究证实，可以在较低的平均衬底温度下（低于400℃）得到含立方相结构的SiC埋层．
1997, 46(11): 2280-2288.
doi: 10.7498/aps.46.2280
摘要:
在Vaidya-Bonner-de Siter时空中，准确地给出了黑洞内外视界及宇宙视界的位置，研究了该时空中黑洞外视界和宇宙视界附近荷电Dirac粒子的Hawking辐射，确定三个视界面中任何两个都不可能重合．
在Vaidya-Bonner-de Siter时空中，准确地给出了黑洞内外视界及宇宙视界的位置，研究了该时空中黑洞外视界和宇宙视界附近荷电Dirac粒子的Hawking辐射，确定三个视界面中任何两个都不可能重合．
