多岛单电子晶体管的实现及其源漏特性分析
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  2005, Vol. 54 Issue (4): 1804-1808
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
多岛单电子晶体管的实现及其源漏特性分析
刘玉贵1, 武一宾1, 吕 苗1, 郭荣辉2, 赵正平2, 郝 跃2
(1)河北半导体研究所,石家庄 050053; (2)西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071
Realization and output characteristics analysis of the multiple islands single- electron transistors
Liu Yu-Gui1, Wu Yi-Bin1, Lü Miao1, Guo Rong-Hui2, Zhao Zheng-Ping2, Hao Yue2
(1)河北半导体研究所,石家庄 050053; (2)西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn