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| 多岛单电子晶体管的实现及其源漏特性分析 |
| 刘玉贵1, 武一宾1, 吕 苗1, 郭荣辉2, 赵正平2, 郝 跃2 |
| (1)河北半导体研究所,石家庄 050053; (2)西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071 |
| Realization and output characteristics analysis of the multiple islands single- electron transistors |
| Liu Yu-Gui1, Wu Yi-Bin1, Lü Miao1, Guo Rong-Hui2, Zhao Zheng-Ping2, Hao Yue2 |
| (1)河北半导体研究所,石家庄 050053; (2)西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071 |
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摘要： 在淀积有纳米间隙栅电极、源电极和漏电极的衬底上生长量子点，制作出多岛结构的单电子晶体管.在77K温度下对源漏特性进行了测试，得到了库仑阻塞特性.并且成功抑制了单岛单电子晶体管中易出现的共隧穿效应，观察到较大的库仑阈值电压.对试验数据进行了分析，阐明了岛的不同结构组态产生的不同输运效果.
关键词：
单电子晶体管
量子点
库仑阻塞
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Abstract： In this paper, a new kind of multiple islands single-electron transistor is prepared successfully with indium quantum dots deposited among nanometer-gap electrodes. The output characteristics are tested and the Coulomb blockade effects are observed. As a result, the harmful co-tunneling effects occurring usually in the single island single-electron transistors are weakened significantly, and a big threshold voltage is got. At the end of the paper, the different transport states from source to drain are discussed.
Keywords：
single-electron transistors
quantum dots
Coulomb blockade
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收稿日期: 2004-08-06
出版日期: 2005-04-19
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| 基金: 专用集成电路国家级重点实验室基金资助的课题. |
| 引用本文: |
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郭荣辉,赵正平,郝 跃 等 . 多岛单电子晶体管的实现及其源漏特性分析. 物理学报, 2005, 54(4): 1808.
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| Cite this article: |
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Guo Rong-Hui,Zhao Zheng-Ping,Hao Yue et al. Realization and output characteristics analysis of the multiple islands single- electron transistors. Acta Phys. Sin., 2005, 54(4): 1804-1808.
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| URL: |
| http://wulixb.iphy.ac.cn/CN/Y2005/V54/I4/1804 |
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2005, Vol. 54 
