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单电子晶体管电流解析模型及数值分析

苏丽娜 顾晓峰 秦华 闫大为

单电子晶体管电流解析模型及数值分析

苏丽娜, 顾晓峰, 秦华, 闫大为
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-08-20
  • 修回日期:  2012-11-05
  • 刊出日期:  2013-04-05

单电子晶体管电流解析模型及数值分析

  • 1. 轻工过程先进控制教育部重点实验室, 江南大学电子工程系, 无锡 214122;
  • 2. 纳米器件与应用重点实验室, 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 苏州 215123
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号: 11074280)、江苏高校优势学科建设工程项目、中央高校基本科研业务费专项资金 (批准号: JUSRP20914, JUSRP51323B, JUDCF12031, JUDCF12032)和江苏省自然科学基金(批准号: BK2012110)资助的课题.

摘要: 本文首先建立单电子晶体管的电流解析模型, 然后将蒙特卡罗法与主方程法结合进行数值分析, 研究了栅极偏压、漏极偏压、温度与隧道结电阻等参数对器件特性的影响. 结果表明: 对于对称结, 库仑台阶随栅极偏压增大而漂移; 漏极电压增大, 库仑振荡振幅增强, 库仑阻塞则衰减; 温度升高将导致库仑台阶和库仑振荡现象消失. 对于非对称结, 源漏隧道结电阻比率增大, 库仑阻塞现象越明显.

English Abstract

参考文献 (12)

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