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应变Si NMOSFET漏电流解析模型

周春宇 张鹤鸣 胡辉勇 庄奕琪 吕懿 王斌 李妤晨

应变Si NMOSFET漏电流解析模型

周春宇, 张鹤鸣, 胡辉勇, 庄奕琪, 吕懿, 王斌, 李妤晨
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-08-05
  • 修回日期:  2013-08-23
  • 刊出日期:  2013-12-05

应变Si NMOSFET漏电流解析模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071
    基金项目: 

    教育部博士点基金(批准号:JY0300122503)、中央高校基本业务费(批准号:K5051225014,K5051225004)和陕西省自然科学基金(批准号:2010JQ8008)资助的课题.

摘要: 基于应变Si/SiGe器件结构,本文建立了统一的应变Si NMOSFET漏电流解析模型. 该模型采用平滑函数,实现了应变Si NMOSFET漏电流及其导数,从亚阈值区到强反型区以及从线性区到饱和区的平滑性,解决了模型的连续性问题. 同时考虑了载流子速度饱和效应和沟道长度调制效应的影响,进一步提高了模型精度. 通过将模型的仿真结果和实验结果对比分析,验证了所建模型的有效性. 该模型可为应变Si数字集成电路和模拟集成电路分析、设计提供重要参考.

English Abstract

参考文献 (15)

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