退火对高Co含量Ti<sub>1-<i>x</i></sub>Co<sub><i>x</i></sub>O<sub>2</sub>磁性半导体的影响
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物理学报  2008, Vol. 57 Issue (7): 4534-4538
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
退火对高Co含量Ti1-xCoxO2磁性半导体的影响
张 泽1, 宋红强2, 颜世申3, 梅良模3, 王 勇4
(1)北京工业大学,北京 100022; (2)山东大学威海分校空间科学与应用物理系,威海 264209;山东大学物理与微电子学院,济南 250100; (3)山东大学物理与微电子学院,济南 250100; (4)中国科学院物理研究所,北京 100190;澳大利亚昆士兰大学工学院,澳大利亚
Effect of annealing on the high Co-doped Ti1-xCoxO2 magnetic semiconductor
Zhang Ze1, Song Hong-Qiang2, Yan Shi-Shen3, Mei Liang-Mo3, Wang Yong4
(1)北京工业大学,北京 100022; (2)山东大学威海分校空间科学与应用物理系,威海 264209;山东大学物理与微电子学院,济南 250100; (3)山东大学物理与微电子学院,济南 250100; (4)中国科学院物理研究所,北京 100190;澳大利亚昆士兰大学工学院,澳大利亚

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