有机半导体的物理掺杂理论
物理学报
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物理学报  2009, Vol. 58 Issue (11): 7897-7903
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
有机半导体的物理掺杂理论
孟卫民1, 汪润生2, 马朝柱2, 李荣华2, 谢宏伟2, 王颖2, 赵明2, 袁建挺2, 彭应全3
(1)兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室,兰州 730000; (2)兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所,兰州 730000; (3)兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所,兰州 730000;兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室,兰州 730000
The theory of physical doping in organic semiconductor
Meng Wei-Min1, Wang Run-Sheng2, Ma Chao-Zhu2, Li Rong-Hua2, Xie Hong-Wei2, Wang Ying2, Zhao Ming2, Yuan Jian-Ting2, Peng Ying-Quan3
(1)兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室,兰州 730000; (2)兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所,兰州 730000; (3)兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所,兰州 730000;兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室,兰州 730000

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