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内嵌InAs量子点的δ掺杂GaAs/AlxGa1-xAs二维电子气特性分析

王红培 王广龙 喻颖 徐应强 倪海桥 牛智川 高凤岐

内嵌InAs量子点的δ掺杂GaAs/AlxGa1-xAs二维电子气特性分析

王红培, 王广龙, 喻颖, 徐应强, 倪海桥, 牛智川, 高凤岐
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-05-16
  • 修回日期:  2013-07-06
  • 刊出日期:  2013-10-05

内嵌InAs量子点的δ掺杂GaAs/AlxGa1-xAs二维电子气特性分析

  • 1. 军械工程学院, 纳米技术与微系统实验室, 石家庄 050003;
  • 2. 中国科学院半导体研究所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 61274125)和北京市自然科学基金(批准号: 11DB1262)资助的课题.

摘要: 采用分子束外延技术对δ掺杂GaAs/AlxGa1-xAs二维电子气(2DEG)样品进行了生长. 在样品生长过程中, 分别改变掺杂浓度(Nd)、空间隔离层厚度(Wd) 和AlxGa1-xAs中Al组分(xAl)的大小, 并在双温(300 K, 78 K)条件下对生长的样品进行了霍尔测量; 结合测试结果, 分别对Nd, Wd及xAl与GaAs/AlxGa1-xAs 2DEG的载流子浓度和迁移率之间的关系规律进行了细致的分析讨论. 生长了包含有低密度InAs量子点层的δ掺杂GaAs/AlxGa1-xAs 2DEG 样品, 采用梯度生长法得到了不同密度的InAs量子点. 霍尔测量结果表明, 随着InAs量子点密度的增加, GaAs/AlxGa1-xAs 2DEG的迁移率大幅度减小, 实验中获得了密度最低为16×108/cm2的InAs量子点样品. 实验结果为内嵌InAs量子点的δ掺杂GaAs/AlxGa1-xAs 2DEG的研究和应用提供了依据和参考.

English Abstract

参考文献 (21)

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