-
研究了Si 重δ 掺杂In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As单量子阱内高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应. 研究表明,强的Rashba自旋轨道相互作用来源于量子阱高的结构反演不对称. 高迁移率系统中,粒子的运动基于弹道输运而非扩散输运. 因此,旧的理论模型不能用于拟合实验结果. 由于最新的模型在实际拟合中过于复杂,一种简单可行的近似用于处理实验结果,并获得了自旋分裂能Δ0和自旋轨道耦合常数α两个重要的物理参数. 该结果与对纵向电阻的Shubnikov-de Haas—SdH振荡分析获得的结果一致. 高迁移率系统中的反弱局域效应研究表明,发展有效的反弱局域理论模型,对于利用Rashba自旋轨道相互作用来设计自旋器件尤为重要.
引用本文: |
Citation: |
计量
- 文章访问数: 4482
- PDF下载量: 957
- 被引次数: 0