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调制掺杂GaAs/AlGaAs 2DEG材料持久光电导及子带电子特性研究

舒 强 舒永春 张冠杰 刘如彬 姚江宏 皮 彪 邢晓东 许京军 林耀望 王占国

调制掺杂GaAs/AlGaAs 2DEG材料持久光电导及子带电子特性研究

舒 强, 舒永春, 张冠杰, 刘如彬, 姚江宏, 皮 彪, 邢晓东, 许京军, 林耀望, 王占国
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-07-12
  • 修回日期:  2005-08-03
  • 刊出日期:  2006-03-20

调制掺杂GaAs/AlGaAs 2DEG材料持久光电导及子带电子特性研究

  • 1. (1)南开大学泰达应用物理学院,南开大学弱光非线性光子学材料及其先进制备技术教育部 重点实验室,天津 300457; (2)南开大学泰达应用物理学院,南开大学弱光非线性光子学材料及其先进制备技术教育部 重点实验室,天津 300457;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60476042),长江学者和创新团队发展计划和南开大学泰达学院 资助的课题.

摘要: 在掺Si的GaAs/AlGaAs二维电子气(2DEG)结构中,得到μ2K=1.78×106cm2/(V·s)的高迁移率.在低温(2K)和高磁场(6T)的条件下,对样品进行红 光辐照,观察到持久光电导(PPC)效应,电子浓度在光照后显著增加.通过整数量子霍尔效应 (IQHE)和Shubnikov-de Haas (SdH)振荡的测量,研究了2DEG的子带电子特性.样品在低温光 照后2DEG中第一子带和第二子带的电子浓度同时随电子总浓度的增加而增加;而且电子迁移 率也明显提高.同时,通过整数霍尔平台的宽度对光照前后电子的量子寿命变短现象作了理 论分析.

English Abstract

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