负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  2009, Vol. 58 Issue (8): 5847-5851     doi:10.7498/aps.58.5847
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 过刊浏览| 高级检索     
负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究
常本康1, 高频1, 乔建良2, 田思2, 杜晓晴3
(1)南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京 210094; (2)南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京 210094;南阳理工学院电子与电气工程系,南阳 473004; (3)重庆大学光电工程学院,重庆 400030
Activation mechanism of negative electron affinity GaN photocathode
Chang Ben-Kang1, Gao Pin1, Qiao Jian-Liang2, Tian Si2, Du Xiao-Qing3
(1)南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京 210094; (2)南京理工大学电子工程与光电技术学院,南京 210094;南阳理工学院电子与电气工程系,南阳 473004; (3)重庆大学光电工程学院,重庆 400030

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn