基于低温硅技术的赝晶SiGe应变弛豫机理
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  2010, Vol. 59 Issue (8): 5743-5748
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
基于低温硅技术的赝晶SiGe应变弛豫机理
杨洪东, 于奇, 王向展, 李竞春, 宁宁, 杨谟华
电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054
Strain relaxation mechanism of pseudomorphic SiGe using low-temperature technology
Yang Hong-Dong, Yu Qi, Wang Xiang-Zhan, Li Jing-Chun, Ning Ning, Yang Mo-Hua
The State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn