20]方向平行,与实验观测(100)[001] TiO2//(0001)[1120]GaN一致. 通过动力学过程计算分析,TiO2分子吸附过程经历了物理吸附、化学吸附与稳定态形成的过程,稳定吸附结构和优化结果一致.

"/>         20] directions, in accordance with experimental reports of (100) [001] TiO2// (0001)[1120] GaN. From ab initio dynamics calculation, the adsorption process can be divided into physical adsorption, chemical adsorption and superficial stable state,and the stable adsorption site is in accordance with the optimized results.

"/>     TiO<sub>2</sub>分子在GaN(0001)表面吸附的理论研究
物理学报
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物理学报  2011, Vol. 60 Issue (10): 106801     doi:10.7498/aps.60.106801
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TiO2分子在GaN(0001)表面吸附的理论研究
黄平1,2, 杨春1
1. 四川师范大学可视化计算与虚拟现实四川省重点实验室,成都 610068;
2. 四川师范大学物理与电子工程学院,成都 610068
Theoretical research of TiO2 adsorption on GaN(0001) surface
Huang Ping1,2, Yang Chun1
1. Visual Computing and Virtual Reality Key Laboratory of Sichuan Province,Sichuan Normal University, Chengdu 610068, China;
2. College of Physics and Electronic Engineering, Sichuan Normal University, Chengdu 610068, China

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