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用四探针及阳极氧化方法测量硅中扩散层杂质分布

林绪伦 黄敞 徐炳华

用四探针及阳极氧化方法测量硅中扩散层杂质分布

林绪伦, 黄敞, 徐炳华
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出版历程
  • 收稿日期:  1963-02-19
  • 刊出日期:  2005-08-05

用四探针及阳极氧化方法测量硅中扩散层杂质分布

  • 1. (1)北京大学物理系; (2)中国科学院

摘要: 本文讨论了:(1)用阳极氧化法在硅片表面去层的技术;(2)用四探针测量扩散层面电导的方法;(3)用阳极氧化去层及四探针测量面电导方法求得扩散层精细杂质分布。文中着重讨论了实验技术中的实际问题,如如何在阳极氧化过程中取得精细而均匀的去层(300—1500?);如何控制及测量去层厚度;测量面电导及杂质分布时的误差来源及减小误差的措施。以典型的磷在硅中扩散的杂质分布测量为例:扩散深度为4.9μm,测量间距为400—1600?,面电导测量误差估计小于3%,杂质分布误差估计小于20%。简单地提出了一些测量中尚待进一步解决的问题。

English Abstract

参考文献 (1)

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