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中子辐照含氢硅中的与氢有关的深能级缺陷

杜永昌 张玉峰 秦国刚 孟祥提

中子辐照含氢硅中的与氢有关的深能级缺陷

杜永昌, 张玉峰, 秦国刚, 孟祥提
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出版历程
  • 收稿日期:  1983-03-16
  • 刊出日期:  1984-04-20

中子辐照含氢硅中的与氢有关的深能级缺陷

  • 1. (1)北京大学物理系; (2)清华大学核能研究所
    基金项目: 

    中国科学院科学基金委员会的部分资助

摘要: 利用深能级瞬态谱(简称DLTS),恒温下瞬态电容技术及红外吸收光谱,研究了中子辐照氢气氛中生长的n型区熔硅。相应于间隙氢的红外吸收谱带中子辐照后强度减弱。首次观察到未经退火就出现了能级为Ec=0.20eV的一个新的缺陷——Z中心,由于该中心的能级很接近于A中心,而浓度又较A中心低得多,通过改变中子剂量使费密能级处于A中心以下几个kT处,才能精确地测定Z中心的DLTS峰所在的温度。根据实验判断Z中心很可能是氢与空位的复合物,讨论了它的可能电子结构。

English Abstract

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