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在p型硅MOS结构Si/SiO2界面区中与金有关的界面态和深能级

曾树荣 陈开茅 金泗轩 武兰青 刘鸿飞

在p型硅MOS结构Si/SiO2界面区中与金有关的界面态和深能级

曾树荣, 陈开茅, 金泗轩, 武兰青, 刘鸿飞
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出版历程
  • 收稿日期:  1992-10-28
  • 刊出日期:  2005-07-10

在p型硅MOS结构Si/SiO2界面区中与金有关的界面态和深能级

  • 1. (1)北京大学微电子学研究所,北京100871; (2)北京大学物理系,北京100871; (3)北京有色金属研究总院,北京100088
    基金项目: 

    国家自然科学基金

摘要: 用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究了金在p型晶向硅MOS结构Si/SiO2界面区中的行为。结果表明,金与Si/SiO2界面缺陷Hit(0.494)相互作用形成新的缺陷Au-Hit(0.445),和金在硅的禁带中产生一个能量分布很广的连续界面态,利用这些界面态可以合理地解释金使硅MOS结构平带电压向正方向移动的物理机制。结果还表明,在Si/SiO2界面附近的半导体中,金施主中心的剖面分

English Abstract

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