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Si-W/Si/SiO2/Si(100)的横截面电子显微镜研究

卢江 吴自勤

Si-W/Si/SiO2/Si(100)的横截面电子显微镜研究

卢江, 吴自勤
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出版历程
  • 收稿日期:  1988-01-08
  • 修回日期:  1988-11-28
  • 刊出日期:  2005-07-08

Si-W/Si/SiO2/Si(100)的横截面电子显微镜研究

  • 1. 中国科学技术大学结构分析开放实验室
    基金项目: 

    中国科学院自然科学基金

摘要: 本文用横截面电子显微镜法分析了Si-W/Si/SiO2/Si(100)在440—1000℃退火后的晶化过程,以及各个界面的变化情况.发现Si-W合金膜中,WSi2并未优先在表面、界面处形成晶核.当退火温度不高于700℃时,反应在合金膜内发生,表面、界面起伏和缓.退火温度高达800—1000℃时,界面、表面出现原子扩散,造成剧烈的界面起伏;表面则出现小的热沟槽,Si/SiO2界面也出现高分辨电子显微镜才能观察到的起伏.表面、界面的原子迁移的动力来源于晶界与表面、界面张力.由于SiO2中Si—O键很稳定,不易发生Si和O在界面处的互扩散,所以Si/SiO2界面起伏很小.

English Abstract

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