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磁控溅射MO薄膜电阻率的原位研究

季航 赵特秀 王晓平 董翊

磁控溅射MO薄膜电阻率的原位研究

季航, 赵特秀, 王晓平, 董翊
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出版历程
  • 收稿日期:  1992-10-08
  • 刊出日期:  2005-07-10

磁控溅射MO薄膜电阻率的原位研究

  • 1. 中国科学技术大学物理系,合肥230026

摘要: 研究了磁控溅射Mo薄膜的电阻率与薄膜厚度的关系。对Mo薄膜的电阻率进行了原位测量,得到电阻率与薄膜厚度的实验曲线。经拟合计算得到Mo薄膜电阻率与薄膜厚度关系的理论曲线。将实验曲线与理论曲线比较,结果显示在薄膜厚度较大时,电阻率与薄膜厚度的关系与Fuchs-Sondheimer(F-S)理论基本符合,如果计入晶粒尺寸对电阻率的贡献则完全符合F-S理论。并得到Mo薄膜尚未形成连续性薄膜前的导电机制为热电子发射机制的结论。

English Abstract

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