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微波ECR磁控溅射制备SiNx薄膜的XPS结构研究

丁万昱 徐军 陆文琪 邓新绿 董闯

微波ECR磁控溅射制备SiNx薄膜的XPS结构研究

丁万昱, 徐军, 陆文琪, 邓新绿, 董闯
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-08-05
  • 修回日期:  2008-11-24
  • 刊出日期:  2009-06-20

微波ECR磁控溅射制备SiNx薄膜的XPS结构研究

  • 1. (1)大连交通大学光电材料与器件研究所,大连 116028;大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连 116024; (2)大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连 116024
    基金项目: 

    国家自然科学基金重大项目(批准号:50390060)和国家自然科学基金(批准号:60576022,50572012)资助的课题.

摘要: 利用微波电子回旋共振等离子体增强非平衡磁控溅射法在不同N2流量下制备无氢SiNx薄膜.通过X光电子能谱、纳米硬度仪等表征技术,研究了不同N2流量下制备的SiNx薄膜的化学键结构、化学键含量、元素配比及各元素沿深度分布.研究结果表明,N2流量是影响SiNx薄膜化学键结构、元素配比、元素延深度分布等性质的主要因素.在N2

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