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散射理论方法应用于重构的β-SiC(100)表面

郭巧能 范希庆 张德萱 马丙现

散射理论方法应用于重构的β-SiC(100)表面

郭巧能, 范希庆, 张德萱, 马丙现
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出版历程
  • 收稿日期:  1995-12-11
  • 修回日期:  1996-01-18
  • 刊出日期:  1996-11-20

散射理论方法应用于重构的β-SiC(100)表面

  • 1. 郑州大学物理工程学院

摘要: 用Polmann散射理论方法分别计算了理想的和(2×1)重构的β-SiC(100)表面带结构以及层和原子轨道态密度.结果表明,重构的主要影响发生在禁区内,重构的Si和C截断表面都具有半导体性,并且得到的表面带与实验相符.由二聚原子的成键和悬挂键的局域态密度定性地解释了二聚Si原子的非对称性和二聚C原子的对称性

English Abstract

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