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β-SiC薄膜在SF6和SF6+O2中的等离子体刻蚀研究

柴常春 杨银堂 李跃进 贾护军 姬慧莲

β-SiC薄膜在SF6和SF6+O2中的等离子体刻蚀研究

柴常春, 杨银堂, 李跃进, 贾护军, 姬慧莲
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出版历程
  • 收稿日期:  1998-07-28
  • 刊出日期:  1999-03-20

β-SiC薄膜在SF6和SF6+O2中的等离子体刻蚀研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:69776023)资助的课题.

摘要: 以SF6和SF6+O2为刻蚀气体,采用等离子体刻蚀工艺成功地对化学气相淀积工艺制备的β-SiC单晶薄膜进行了有效的刻蚀去除.实验指出当气体混合比约为40%时,刻蚀速率达到最大值.俄歇能谱分析表明,在SF6和SF6+O2气体中被刻蚀后的样品没有形成富C表面的SiC层.研究结果为各种SiC器件的研制奠定了必要的实验基础.

English Abstract

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