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采用低压金属有机气相外延（LPMOCVD）设备生长并制作了1.55μm AlGaInAs-InP偏振无关半导体光放大器，有源区为3周期的张应变量子阱结构，应变量为0.35%；器件制作成脊型波导结构，并采用7°斜腔结构以有效抑制腔面反射；经蒸镀减反膜后，半导体光放大器的自发辐射功率的波动小于0.3 dB，3 dB带宽为 50 nm,半导体光放大器小信号增益近20dB，带宽亦为50 nm.在1530—1580nm波长范围内偏振灵敏度小于0.5dB，峰值增益波长的饱和输出功率达7dBm；器件增益随温度的升高而
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[1] 刘彪, 周晓凡, 陈刚, 贾锁堂. 交错跃迁Hofstadter梯子的量子流相. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20191964 [2] 李翔艳, 王志辉, 李少康, 田亚莉, 李刚, 张鹏飞, 张天才. 蓝移阱中单个铯原子基态磁不敏感态的相干操控. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20192001 [3] 黄永峰, 曹怀信, 王文华. 共轭线性对称性及其对 \begin{document}$ {\mathcal{P}}{\mathcal{T}} $\end{document} [4] 胡渝曜, 梁东, 王晶, 刘军. 基于电动可调焦透镜的大范围快速光片显微成像. 物理学报, 2020, (): . doi: 10.7498/aps.69.20191908
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