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高择优取向硅基含钾铌酸锶钡(K:SBN)薄膜的制备与性能

曹晓燕 叶 辉 邓年辉 郭 冰 顾培夫

高择优取向硅基含钾铌酸锶钡(K:SBN)薄膜的制备与性能

曹晓燕, 叶 辉, 邓年辉, 郭 冰, 顾培夫
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-08-22
  • 修回日期:  2003-11-03
  • 刊出日期:  2004-07-15

高择优取向硅基含钾铌酸锶钡(K:SBN)薄膜的制备与性能

  • 1. 浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,杭州 310027
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60008005)及浙江省自然科学基金(批准号:500077)资助的课题.

摘要: 采用NbCl5作为先驱物,利用溶胶-凝胶法在Si(100)衬底上成功获得高度择优取向的铁电铌酸锶钡(SBN)薄膜.与用Nb(OC2H5)5作为先驱物的SBN薄膜相比,NbCl5配制的薄膜前驱溶液中含有一定数量的K离子.K离子的含量对SBN薄膜取向的影响存在一个最优值.二次离子质谱测试发现,K离子对SBN晶胞的溶入和对Si衬底的渗透能够同时使SBN晶胞和Si晶胞产生微小扭曲,从而起到调整薄膜与衬底的匹配关系,并最终促使SBN薄膜c轴高度择优取向的生长.测试了薄膜的光学特性.

English Abstract

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