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二维负磁导率材料中的缺陷效应

康 雷 赵 乾 赵晓鹏

二维负磁导率材料中的缺陷效应

康 雷, 赵 乾, 赵晓鹏
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-01-06
  • 修回日期:  2004-02-10
  • 刊出日期:  2004-05-05

二维负磁导率材料中的缺陷效应

  • 1. 西北工业大学电流变技术研究所,应用物理系,西安\ 710072
    基金项目: 

    国家杰出青年基金(批准号:50025207)和国家自然科学基金(批准号:5027054)资助的课题.

摘要: 研究了以金属铜六边形开口谐振环为基元的二维负磁导率材料的缺陷效应.利用电路板刻蚀 技术制备了二维负磁导率材料样品.采用波导法测量了点缺陷和线缺陷对二维负磁导率材料X 波段(8—12GHz)微波透射行为的影响.实验发现,无缺陷的二维负磁导率材料样品存在一个 谐振频率,在稍大于该谐振频率的极窄区域内表现为负磁导率.点缺陷和线缺陷SRR的引入导 致材料主谐振峰的强度下降、谐振频率发生移动,品质因数Q显著下降.缺陷的存在破坏 了材料的周期性结构,从而引起其谐振峰的谐振强度和谐振频率发生变化.缺陷效应的研究 不

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