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Ge在Ru(0001)表面上生长及其性质研究

王学森 胡昉 张寒洁 吕 斌 陶永升 李海洋 鲍世宁 何丕模

Ge在Ru(0001)表面上生长及其性质研究

王学森, 胡昉, 张寒洁, 吕 斌, 陶永升, 李海洋, 鲍世宁, 何丕模
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-04-21
  • 修回日期:  2004-06-25
  • 刊出日期:  2005-03-17

Ge在Ru(0001)表面上生长及其性质研究

  • 1. (1)新加坡国立大学物理系,新加坡 119260; (2)浙江大学物理系,杭州 310027
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10274072)和高等学校博士学科点专项科研基金(批准号: 20030335017)资助的课题.

摘要: 报道Ge在Ru(0001)表面上生长以及相互作用行为的扫描隧道显微镜(STM)和x射线光电子能谱(XPS)研究. STM的实验结果表明Ge在Ru(0001)表面的生长呈典型的Stranski_Krastanov生长模式,Ge的覆盖度小于单原子层时呈层状生长,而从第二层开始呈岛状生长. XPS测量显示衬底Ru(0001)与Ge的相互作用很弱. Ru(0001)表面的Ru 3d5/2和Ru 3d3/2芯态结合能分别处于2798和2840 eV. 随着Ge的生长,到Ge层的厚度为20个单原子层,衬底Ru 3d芯态结合能减小了约02 eV,而Ge 3d芯态结合能从Ge低覆盖度时的289 eV增加到了290 eV,其相对位移约为01 eV.

English Abstract

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