搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

同轴谐振腔高阶横磁模式参数的研究

董玉和 丁耀根 肖 刘

同轴谐振腔高阶横磁模式参数的研究

董玉和, 丁耀根, 肖 刘
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  4189
  • PDF下载量:  1448
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2005-03-30
  • 修回日期:  2005-07-18
  • 刊出日期:  2005-06-05

同轴谐振腔高阶横磁模式参数的研究

  • 1. (1)中国科学院电子学研究所,北京 100080; (2)中国科学院电子学研究所,北京 100080;中国科学院研究生院,北京 100039; (3)中国科学院电子学研究所,北京 100080;中国科学院研究生院,北京 100039;内蒙古科技大学数理系,包头 014010

摘要: 理论计算和分析了微波圆柱同轴谐振腔高阶横磁(TM)模式的系列关联参数.研究发现:与圆柱腔相比, 同轴谐振腔的TMn10模式有较大的模式间隔,即工作模式能够远离非工作模式的干扰,这有利于保持器件稳定的频率和功率;在保持腔长不变、腔横截面外半径取特定值时,腔内电场峰值位置的轴向特性阻抗随内径的变化存在极大值;在高频段可以采用任意大横截面的腔体结构和任意阶的模式.计算结果与仿真结果相一致.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回