搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

同步辐射光激励的二氧化硅薄膜刻蚀研究

Urisu Tsuneo 王长顺 潘 煦

同步辐射光激励的二氧化硅薄膜刻蚀研究

Urisu Tsuneo, 王长顺, 潘 煦
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3236
  • PDF下载量:  1062
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2006-03-28
  • 修回日期:  2006-04-10
  • 刊出日期:  2006-11-20

同步辐射光激励的二氧化硅薄膜刻蚀研究

  • 1. (1)Institute for Molecular Science,Okazaki,444-8585,Japan; (2)上海交通大学物理系,上海 200240
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60177003,10675083)及上海应用材料研究和发展基金(批准号:0416)资助的课题.

摘要: 利用热氧化法在硅晶片上生长SiO2薄膜,结合光刻和磁控溅射技术在SiO2薄膜表面制备接触型钴掩模,通过掩模方法在硅表面开展了同步辐射光激励的表面刻蚀研究,在室温下制备了SiO2薄膜的刻蚀图样.实验结果表明:在同步辐射光照射下,通入SF6气体可以有效地对SiO2薄膜进行各向异性刻蚀,并在一定的气压范围内,刻蚀率随SF6气体浓度的增加而增加,随样品温度的下降而升高;如果在同步辐射光照射下,用SF6和O2的混合气体作为反应气体,刻蚀过程将停止在SiO2/Si界面,即不对硅刻蚀,实现了同步辐射对硅和二氧化硅两种材料的选择性刻蚀;另外,钴表现出强的抗刻蚀能力,是一种理想的同步辐射光掩模材料.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回