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AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响

席光义 任 凡 郝智彪 汪 莱 李洪涛 江 洋 赵 维 韩彦军 罗 毅

AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响

席光义, 任 凡, 郝智彪, 汪 莱, 李洪涛, 江 洋, 赵 维, 韩彦军, 罗 毅
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-01-24
  • 修回日期:  2008-06-06
  • 刊出日期:  2008-11-20

AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响

  • 1. 清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室/清华大学信息科学与技术国家实验室,北京 100084
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60536020,60723002)、国家重点基础研究发展计划“973”(批准号:2006CB302801,2006CB302804,2006CB302806, 2006CB921106)、国家高技术研究发展计划“863”(批准号:2006AA03A105)、北京市科委重大计划(批准号:D0404003040321)资助的课题.

摘要: 利用金属有机气相外延(MOVPE)技术生长了具有不同AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷密度的AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)样品,并对比研究了两种缺陷对器件栅、漏延迟电流崩塌效应的影响.栅延迟测试表明,AlGaN表面坑状缺陷会引起栅延迟电流崩塌效应和源漏电阻的增加,而且表面坑状缺陷越多,栅延迟电流崩塌程度和源漏电阻的增加越明显.漏延迟测试显示,AlGaN表面坑状缺陷对漏延迟电流崩塌影响不大,而GaN缓冲层位错缺陷主要影响漏延迟电流崩塌.研究结果表明,AlGaN表面坑状缺陷和Ga

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