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3 MeV质子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的影响

吕玲 张进成 李亮 马晓华 曹艳荣 郝跃

3 MeV质子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的影响

吕玲, 张进成, 李亮, 马晓华, 曹艳荣, 郝跃
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-04-26
  • 修回日期:  2011-07-07
  • 刊出日期:  2012-03-05

3 MeV质子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的影响

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071

摘要: 研究了AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)的质子辐照效应. 在3 MeV质子辐照下, 当辐照剂量达到1× 1015 protons/cm2时, 漏极饱和电流下降了20%, 最大跨导降低了5%. 随着剂量增加, 阈值电压向正向漂移, 栅泄露电流增加. 在相同辐照剂量下, 1.8 MeV质子辐照要比3 MeV质子辐照退化严重. 从SRIM软件仿真中得到不同能量质子在AlGaN/GaN异质结中的辐射损伤区, 以及在一定深度形成的空位密度. 结合变频C-V测试结果进行分析, 表明了质子辐照引入空位缺陷可能是AlGaN/GaN HEMT器件电学特性退化的主要原因.

English Abstract

参考文献 (12)

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