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离子注入的铝在Si(100)表面的偏析及其引起的纳米团簇和合金晶粒形成现象的实验研究

高皓 廖龙忠 张朝晖

离子注入的铝在Si(100)表面的偏析及其引起的纳米团簇和合金晶粒形成现象的实验研究

高皓, 廖龙忠, 张朝晖
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-11-28
  • 修回日期:  2008-06-20
  • 刊出日期:  2009-01-20

离子注入的铝在Si(100)表面的偏析及其引起的纳米团簇和合金晶粒形成现象的实验研究

  • 1. 北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京 100871
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号90406007,10434010)资助的课题.

摘要: 通过高温退火注入了铝的Si(100)样品,探讨偏析出来的铝在硅表面的热力学行为.由900℃的退火实验发现,偏析出来的铝原子一方面形成Si(100)基底的外延铝膜和铝岛,另一方面与硅原子结合形成尺度约为2—3nm的铝硅团簇.而1200℃的退火实验显示,铝和硅的快速冷凝形成了立方晶系的Al4Si合金晶粒、尺度约为20—30nm.细小的铝硅团簇在结构上独立于样品基底并且趋于聚集成团,很可能是在高温退火和快速降温过程中形成铝硅合金晶粒的前驱.

English Abstract

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