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基于Al2O3/Pt纳米晶/HfO2叠层的MOS电容存储效应研究

黄玥 苟鸿雁 廖忠伟 孙清清 张卫 丁士进

基于Al2O3/Pt纳米晶/HfO2叠层的MOS电容存储效应研究

黄玥, 苟鸿雁, 廖忠伟, 孙清清, 张卫, 丁士进
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  • 采用电子束蒸发Pt和后快速热退火的方法,研究了退火条件对Pt纳米晶的生长特性的影响,结果显示Pt纳米晶的密度随退火温度的升高和退火时间的延长均表现出先增大后减小的趋势.在800℃下退火20 s能得到分布均匀的、密度为30×1011 cm-2的Pt纳米晶.进一步研究了基于Al2O3/Pt纳米晶/HfO2叠层的MOS电容结构的存储效应,表明其在-3—+8 V扫描电压范围下C-V<
    • 基金项目: 国家高技术研究发展计划(863)新材料领域项目(批准号:2006AA03Z307),教育部科学技术研究重点项目(批准号:108052)和教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-08-0127)资助的课题.
    [1]

    [1]Lee C G,Meteer J,Narayanan V,Kan E C 2005 J. Electronic Materials 34 1

    [2]

    [2]Sargentis C,Giannakopoulos K,Travlos A,Tsamakis D 2007 Surface Science 601 2859

    [3]

    [3]Tiwari S,Rana F,Hanafi H,Hartstein A,Crabbé E F,Chan K 1996 Appl. Phys. Lett. 68 1377

    [4]

    [4]Salvo B D,Gerardi C,Lombardo S,Baron T,Perniola L,Mariolle D,Mur P,Toffoli A,Gely M,Sermeria M N,Deleonibus S,Ammendola G,Ancarani V,Melanotte M,Bez R,Baldi L,Corso D,Crupi I,Puglisi R A,Nicotra G,Rimini E,Mazen F,Ghbaudo G,Pananakakis G,Compagnoni C M,Ielmini D,Spinelli A,Lacaita A,Wan Y M,Jeugd K V 2003 Tech. Dig. -Int. Electron Devices Meet. 597

    [5]

    [5]Muralidhar R,Steimle R F,Sadd M,Rao R,Swift C T,Prinz E J,YaterJ,Grieve L,Harber K,Hradsky B,Straub S,Acred B,Paulson W,Chen W,Parker L,Anderson S G H,Rossow M,Merchant T,Paransky M,Huynh T,Hadad D,Chang K M,White B E 2003 Tech.Dig. -Int. Electron Devices Meet. 601

    [6]

    [6]Baron T,Fernandes A,Damlencourt J F,Salvo B D,Martin F,Mazen F,Haukka S 2003 Appl. Phys. Lett. 82 4151

    [7]

    [7]Sée J,Dollfus P,Galdin S 2002 J. Appl. Phys. 92 3141

    [8]

    [8]Zhang M,Chen W,Ding S J 2007 J. Phys. D 41 032007

    [9]

    [9]Ghavale N,Dey S,Jalv V K,Tewari R 2009 Bull. Mater. Sci. 32 15

    [10]

    ]Liu Z,Lee C,Narayanan V,Pei G,Kam E C 2002 IEEE Transactions on Electron Devices 49 1614

    [11]

    ]Dutourcq J,Mur P,Gordon M J,Minorer S,Coppard R,Baron T 2007 Materials Science and Engineering C 27 1496

    [12]

    ]Yang F M,Chang T C,Liu P T,Yeh P H,Yu Y C,Lin J Y,Sze S M,Lou J C 2007 Appl. Phys. Lett. 90 132102

    [13]

    ]Samanta S K,Yoo W J,Samudra G,Tok E S,Bera L K,Balasubramanian N 2005 Appl. Phys. Lett. 87 113110

    [14]

    ]Robinson V A E,Robins J L1970 Thin Solid Films 5 313[15]Carey J D,Ong L L,Silva S R P 2003 Nanotechnology 14 1223

    [15]

    ]Zhang M,Chen W,Ding S J,Liu Z Y,Huang Y,Liao Z W,Zhang D W 2008 J. Phys. D:Applied Physics 41 032007

    [16]

    ]Lee C,Hou T H,Kan E C 2005 IEEE Trans. Electron Devices 52 2697

  • [1]

    [1]Lee C G,Meteer J,Narayanan V,Kan E C 2005 J. Electronic Materials 34 1

    [2]

    [2]Sargentis C,Giannakopoulos K,Travlos A,Tsamakis D 2007 Surface Science 601 2859

    [3]

    [3]Tiwari S,Rana F,Hanafi H,Hartstein A,Crabbé E F,Chan K 1996 Appl. Phys. Lett. 68 1377

    [4]

    [4]Salvo B D,Gerardi C,Lombardo S,Baron T,Perniola L,Mariolle D,Mur P,Toffoli A,Gely M,Sermeria M N,Deleonibus S,Ammendola G,Ancarani V,Melanotte M,Bez R,Baldi L,Corso D,Crupi I,Puglisi R A,Nicotra G,Rimini E,Mazen F,Ghbaudo G,Pananakakis G,Compagnoni C M,Ielmini D,Spinelli A,Lacaita A,Wan Y M,Jeugd K V 2003 Tech. Dig. -Int. Electron Devices Meet. 597

    [5]

    [5]Muralidhar R,Steimle R F,Sadd M,Rao R,Swift C T,Prinz E J,YaterJ,Grieve L,Harber K,Hradsky B,Straub S,Acred B,Paulson W,Chen W,Parker L,Anderson S G H,Rossow M,Merchant T,Paransky M,Huynh T,Hadad D,Chang K M,White B E 2003 Tech.Dig. -Int. Electron Devices Meet. 601

    [6]

    [6]Baron T,Fernandes A,Damlencourt J F,Salvo B D,Martin F,Mazen F,Haukka S 2003 Appl. Phys. Lett. 82 4151

    [7]

    [7]Sée J,Dollfus P,Galdin S 2002 J. Appl. Phys. 92 3141

    [8]

    [8]Zhang M,Chen W,Ding S J 2007 J. Phys. D 41 032007

    [9]

    [9]Ghavale N,Dey S,Jalv V K,Tewari R 2009 Bull. Mater. Sci. 32 15

    [10]

    ]Liu Z,Lee C,Narayanan V,Pei G,Kam E C 2002 IEEE Transactions on Electron Devices 49 1614

    [11]

    ]Dutourcq J,Mur P,Gordon M J,Minorer S,Coppard R,Baron T 2007 Materials Science and Engineering C 27 1496

    [12]

    ]Yang F M,Chang T C,Liu P T,Yeh P H,Yu Y C,Lin J Y,Sze S M,Lou J C 2007 Appl. Phys. Lett. 90 132102

    [13]

    ]Samanta S K,Yoo W J,Samudra G,Tok E S,Bera L K,Balasubramanian N 2005 Appl. Phys. Lett. 87 113110

    [14]

    ]Robinson V A E,Robins J L1970 Thin Solid Films 5 313[15]Carey J D,Ong L L,Silva S R P 2003 Nanotechnology 14 1223

    [15]

    ]Zhang M,Chen W,Ding S J,Liu Z Y,Huang Y,Liao Z W,Zhang D W 2008 J. Phys. D:Applied Physics 41 032007

    [16]

    ]Lee C,Hou T H,Kan E C 2005 IEEE Trans. Electron Devices 52 2697

  • [1] 张旭杰, 刘红侠, 范小娇, 樊继斌. 前驱体和退火温度对Nd2O3薄膜组分影响的定量研究. 物理学报, 2013, 62(3): 037701. doi: 10.7498/aps.62.037701
    [2] 王永谦, 陈维德, 陈长勇, 刁宏伟, 张世斌, 徐艳月, 孔光临, 廖显伯. 快速热退火和氢等离子体处理对富硅氧化硅薄膜微结构与发光的影响. 物理学报, 2002, 51(7): 1564-1570. doi: 10.7498/aps.51.1564
    [3] 黄锐, 宋捷, 郭艳青, 王祥, 陈坤基, 李伟. a-SiNx/nc-Si/a-SiNx双势垒结构中的电荷隧穿和存储效应. 物理学报, 2011, 60(2): 027301. doi: 10.7498/aps.60.027301
    [4] 卢吴越, 张永平, 陈之战, 程越, 谈嘉慧, 石旺舟. 不同退火方式对Ni/SiC接触界面性质的影响. 物理学报, 2015, 64(6): 067303. doi: 10.7498/aps.64.067303
    [5] 李晓静, 赵德刚, 何晓光, 吴亮亮, 李亮, 杨静, 乐伶聪, 陈平, 刘宗顺, 江德生. 退火温度和退火气氛对Ni/Au与p-GaN之间欧姆接触性能的影响. 物理学报, 2013, 62(20): 206801. doi: 10.7498/aps.62.206801
    [6] 刘林杰, 岳远征, 张进城, 马晓华, 董作典, 郝跃. Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件温度特性研究. 物理学报, 2009, 58(1): 536-540. doi: 10.7498/aps.58.536
    [7] 黄 伟, 张利春, 高玉芝, 金海岩. 掺Mo对NiSi薄膜热稳定性的改善. 物理学报, 2005, 54(5): 2252-2255. doi: 10.7498/aps.54.2252
    [8] 单晓楠, 黄 如, 李 炎, 蔡一茂. NiSi金属栅电学特性的热稳定性研究. 物理学报, 2007, 56(8): 4943-4949. doi: 10.7498/aps.56.4943
    [9] 何天立, 魏鸿源, 李成明, 李庚伟. n型GaN过渡族难熔金属欧姆电极对比. 物理学报, 2019, 68(20): 206101. doi: 10.7498/aps.68.20190717
    [10] 殷 涛, 赵红东, 廉 鹏, 沈光地, 徐遵图, 徐俊英, 杨国文, 张敬明. 快速热退火引起GaAs/AlGaAs双量子阱中铝原子的扩散研究. 物理学报, 1998, 47(6): 945-951. doi: 10.7498/aps.47.945
    [11] 张兴尧, 郭旗, 陆妩, 张孝富, 郑齐文, 崔江维, 李豫东, 周东. 串口型铁电存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性. 物理学报, 2013, 62(15): 156107. doi: 10.7498/aps.62.156107
    [12] 许军, 黄宇健, 丁士进, 张卫. Ta和TaN底电极对原子层淀积HfO2介质MIM电性能的影响. 物理学报, 2009, 58(5): 3433-3436. doi: 10.7498/aps.58.3433
    [13] 应明炯, 刘家璐, 张廷庆, 冯建华, 周冠山. B+注入HgCdTe快速热退火的研究. 物理学报, 1998, 47(1): 47-52. doi: 10.7498/aps.47.47
    [14] 董正高, 沈明荣, 徐闰, 甘肇强, 葛水兵. 氧气氛低温退火Pt/Ba0.8Sr0.2TiO3Pt引起的低频介电弛豫效应. 物理学报, 2002, 51(12): 2896-2900. doi: 10.7498/aps.51.2896
    [15] 李明, 余学峰, 薛耀国, 卢健, 崔江维, 高博. 部分耗尽绝缘层附着硅静态随机存储器总剂量辐射损伤效应的研究. 物理学报, 2012, 61(10): 106103. doi: 10.7498/aps.61.106103
    [16] 袁健, 陆昉, 孙恒慧, 卫星, 杨敏, 黄大鸣, 徐宏来, 沈鸿烈, 邹世昌. 快速退火后重掺硼的分子束外延层的电学特性. 物理学报, 1994, 43(7): 1137-1143. doi: 10.7498/aps.43.1137
    [17] 朱剑云, 刘璐, 李育强, 徐静平. 退火工艺对LaTiON和HfLaON存储层金属-氧化物-氮化物-氧化物-硅存储器特性的影响. 物理学报, 2013, 62(3): 038501. doi: 10.7498/aps.62.038501
    [18] 陈友江, 孙世刚, 吴晨旭, 林 海, 姜冬华, 黄晓菁. 纳米结构Pt膜上CO吸附的异常红外效应机理研究. 物理学报, 2005, 54(1): 429-433. doi: 10.7498/aps.54.429
    [19] 华文玉, 陈存礼, 李建年. 钛-硅系快速热退火固相反应机制的研究. 物理学报, 1990, 39(7): 127-133. doi: 10.7498/aps.39.127
    [20] 吴振宇, 杨银堂, 汪家友. 微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积法制备非晶氟化碳薄膜的研究. 物理学报, 2006, 55(5): 2572-2577. doi: 10.7498/aps.55.2572
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-05-31
  • 修回日期:  2009-06-30
  • 刊出日期:  2010-03-15

基于Al2O3/Pt纳米晶/HfO2叠层的MOS电容存储效应研究

  • 1. 专用集成电路与系统国家重点实验室,复旦大学微电子研究院,上海 200433
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(863)新材料领域项目(批准号:2006AA03Z307),教育部科学技术研究重点项目(批准号:108052)和教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-08-0127)资助的课题.

摘要: 采用电子束蒸发Pt和后快速热退火的方法,研究了退火条件对Pt纳米晶的生长特性的影响,结果显示Pt纳米晶的密度随退火温度的升高和退火时间的延长均表现出先增大后减小的趋势.在800℃下退火20 s能得到分布均匀的、密度为30×1011 cm-2的Pt纳米晶.进一步研究了基于Al2O3/Pt纳米晶/HfO2叠层的MOS电容结构的存储效应,表明其在-3—+8 V扫描电压范围下C-V<

English Abstract

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